STD3N95K5AG

想象一下，在严苛的汽车电子环境中，您的电源转换系统正面临着950V高压的持续冲击，您是否还在为开关器件的可靠性与效率而担忧？现在，答案已经揭晓。我们隆重推出意法半导体MDmesh K5系列中的明星产品STD3N95K5AG，这颗专为汽车级应用打造的N沟道MOSFET，正是为征服高压挑战、释放系统潜能而生。

它不仅仅是一个开关，更是您系统稳定与高效的心脏。凭借高达950V的漏源电压和2A的连续漏极电流能力，它能在车载充电器(OBC)、DC-DC转换器以及辅助电源等关键场景中游刃有余。无论是应对瞬间的电压尖峰，还是在-55°C至150°C的极端温度范围内稳定工作，它都展现出令人信赖的坚固品质。其极低的栅极电荷（仅3.4nC）和优化的导通电阻，意味着更快的开关速度和更低的导通损耗，直接为您带来更高的系统效率和更低的温升，让能量转换过程更加“冷静”且高效。

为何众多工程师在面临高压选型时，会毫不犹豫地选择它？因为它代表了性能与可靠性的完美平衡。MDmesh K5技术平台赋予了它卓越的开关特性和雪崩耐量，确保在复杂的电磁环境和负载波动下依然坚如磐石。DPAK封装不仅节省了宝贵的电路板空间，其优异的散热性能更能将45W的功率耗散能力充分发挥。这意味着，您无需在性能、尺寸和可靠性之间做出妥协。选择STD3N95K5AG，就是选择了一份来自AEC-Q101认证的汽车级品质保证，为您的产品注入超越同级的竞争力。如果您正在寻找稳定可靠的供货渠道，可以通过官方授权的ST代理商获取正品支持与技术咨询。

从提升整机效率到延长产品寿命，从简化散热设计到增强系统鲁棒性，这颗芯片的价值贯穿于产品生命周期的每一个环节。它不仅仅解决了当下的技术难题，更着眼于未来更高效、更集成的电源架构。当您将STD3N95K5AG融入您的设计蓝图，您收获的将是一个更强大、更可靠、更具市场吸引力的解决方案。立即行动，让它成为您下一个成功项目的强大引擎。

• 型号:STD3N95K5AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 2A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:105 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为高压电源设计中开关器件的损耗和可靠性头疼吗？让STD3N95K5AG为您带来焕然一新的体验。这颗来自意法半导体MDmesh K5家族的汽车级MOSFET，拥有950V的超高耐压和仅5欧姆的低导通电阻，能显著降低开关和传导损耗，让您的电源系统效率轻松跃升。

它专为应对严苛环境而生，通过AEC-Q101认证，可在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定工作。极低的栅极电荷和输入电容，让您能够实现更高频率的开关操作，从而使用更小的磁性元件，有效优化系统体积与成本。无论是用于车载充电、DC-DC转换还是工业电源，它都能提供坚实可靠的性能基石。

选择STD3N95K5AG，就是选择了一份高效与安心的保障。它让您能够更从容地设计高性能电源方案，将复杂的高压挑战转化为产品的核心优势。