STD3NM60N

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗集高性能与高可靠性于一体的功率开关，能够如何彻底改变您的产品表现。现在，答案就在STD3NM60N之中。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其600V的耐压能力和3.3A的连续漏极电流，为您提供了一个坚实而高效的功率处理核心。它不仅仅是参数的堆砌，更是MDmesh II系列先进技术的结晶，旨在将卓越的能效与出色的热管理能力，无缝融入您的下一个创新设计。

无论是家用电器中的辅助电源、LED照明驱动，还是工业领域的电机控制与功率因数校正（PFC）电路，STD3NM60N都能游刃有余。其低至1.8欧姆的导通电阻（Rds(on)）意味着更低的传导损耗，而仅9.5nC的栅极电荷则显著降低了开关损耗。这直接转化为更低的温升和更高的系统整体效率，让您的终端产品在激烈的市场竞争中，凭借更长的续航、更小的体积或更安静的工作状态脱颖而出。当您需要稳定可靠的供应链与专业的技术支持时，选择一家资深的ST代理商至关重要，他们能确保您顺利获取这颗优质芯片并得到完善的服务。

选择STD3NM60N，就是选择了一份来自全球半导体领袖的品质承诺。其DPAK封装不仅优化了功率密度，便于表面贴装，实现紧凑的PCB布局，更能承受高达50W的功率耗散，确保在-55°C至150°C的严苛工作温度范围内稳定运行。这意味着更少的设计顾虑、更简化的散热方案以及最终产品更高的可靠性。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品性能、加速上市进程并赢得用户信赖的战略性选择。立即将STD3NM60N纳入您的设计清单，开启能效与可靠性的新篇章。

• 型号:STD3NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 1.65A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:188 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD3NM60N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您是否正在寻找一颗能显著提升开关电源效率、同时保持卓越可靠性的“核心动力”？STD3NM60N正是为此而生。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V高耐压和3.3A的电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（1.8Ω）与栅极电荷（9.5nC），能大幅降低开关损耗与传导损耗，让您的电源设计轻松实现更高的能效等级和更低的温升。

它专为要求苛刻的开关应用优化，如反激式转换器、PFC电路和电机驱动。其DPAK封装兼顾了功率密度与散热需求，表面贴装形式让您的PCB布局更加紧凑高效。选择STD3NM60N，意味着您选择了一个经过验证的高性能解决方案，它将帮助您简化设计、提升产品可靠性，并最终在市场竞争中赢得优势。