STU2N105K5

当您的电源设计面临高压、高可靠性的严苛挑战时，是否曾为寻找一颗既能承受极端电压，又能保持高效稳定运行的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体MDmesh K5系列中的明星产品STU2N105K5。这颗N沟道高压MOSFET，以其高达1050V的漏源击穿电压和优化的动态特性，为您的高压应用注入前所未有的信心与能量。它不仅仅是一个组件，更是您产品在激烈市场竞争中脱颖而出的强大引擎。

想象一下，在工业开关电源、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器或是UPS不间断电源系统中，STU2N105K5正以其卓越的性能默默工作。它能够轻松应对电网波动带来的高压冲击，确保您的设备在复杂工况下稳定运行。其采用的先进MDmesh K5技术，在保持超低栅极电荷（Qg）的同时，实现了导通电阻（Rds(on)）的出色平衡。这意味着更低的开关损耗和导通损耗，直接转化为更高的系统效率和更低的温升，让您的产品在能效比拼中占尽先机，同时显著延长使用寿命。

选择STU2N105K5，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）和坚固的TO-251（IPAK）封装，赋予了它无与伦比的环境适应性与机械可靠性。无论是严寒还是酷暑，它都能持续稳定输出1.5A的连续电流，功率处理能力高达60W。这颗芯片的诞生，旨在简化您的设计流程，降低系统整体成本，并大幅提升最终产品的市场竞争力。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，请务必联系官方授权的ST代理，他们将为您提供从选型到量产的全方位专业服务。立即将STU2N105K5纳入您的设计，开启高效、可靠的高压电源新纪元！

• 型号:STU2N105K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 1.5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 750mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:115 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• 现在可以订购STU2N105K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高压电源设计的效率与可靠性头疼吗？让STU2N105K5来为您分忧！这颗基于意法半导体先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，是专为高压开关应用而生的高效能手。

它拥有高达1050V的耐压和仅8欧姆的优异导通电阻，能显著降低开关和导通损耗，让您的电源系统运行更凉爽、能效更高。同时，其极低的栅极电荷和输入电容，让驱动设计变得异常轻松，助力您实现更高频率的开关操作，从而缩小磁性元件体积，优化整体方案成本。

无论是工业电源、LED驱动还是电机控制，STU2N105K5都能让您轻松驾驭高压挑战，打造出更紧凑、更高效、更可靠的产品，赢得市场先机。