STD11N60M2-EP

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为寻找一颗能在高压环境下稳定工作、同时兼顾出色开关性能与散热表现的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前。来自ST意法半导体MDmesh M2-EP家族的明星成员STD11N60M2-EP，正是为满足严苛应用需求而生的高性能N沟道MOSFET。它不仅仅是一个组件，更是您提升系统整体表现、赢得市场竞争力的关键引擎。

想象一下，在开关电源的初级侧，这颗芯片凭借其高达600V的漏源电压和7.5A的连续漏极电流能力，从容应对电网波动和浪涌冲击，为您的AC-DC转换器或LED驱动器筑起一道坚固的防线。其先进的MDmesh M2-EP技术，通过优化单元结构和工艺，实现了极低的导通电阻（典型值远低于595毫欧）和栅极电荷（Qg仅12.4nC）。这意味着在频繁开关的工况下，导通损耗和开关损耗被双双大幅削减，系统整体效率得以显著提升，热量自然也更少。无论是工业电源、PC电源还是适配器，它都能让您的产品在能效竞赛中脱颖而出，同时更低的温升也直接延长了整机寿命。

选择STD11N60M2-EP，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。其DPAK封装在提供紧凑占板面积的同时，也确保了高达85W的出色散热能力，配合-55°C至150°C的宽广工作结温范围，即使面对极端环境或持续高负载，也能稳定运行，大大提升了设计的鲁棒性。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其成为特定高可靠性项目或库存备料的理想选择。为确保您能获得正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST代理进行咨询与采购。让这颗凝聚ST尖端技术的功率器件，为您的下一个创新项目注入强劲而高效的动力，轻松驾驭高压世界，创造更大价值。

• 型号:STD11N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:595 毫欧 @ 3.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:390 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD11N60M2-EP，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高压开关应用的效率瓶颈和散热难题头疼吗？让STD11N60M2-EP来为您分忧！这颗采用ST先进MDmesh M2-EP技术的N沟道MOSFET，是专为高效、可靠功率转换而设计的利器。

它拥有600V的耐压和7.5A的电流处理能力，能轻松应对开关电源、电机驱动等应用中的高压侧开关任务。其核心价值在于极低的导通电阻与栅极电荷，这意味着它能显著降低导通损耗和开关损耗，直接提升您的系统效率，并减少发热，让您的设计更节能、更凉爽。

采用坚固的DPAK封装，散热性能优异，工作温度范围宽广，确保在各种严苛环境下稳定运行。选择它，就是为您的产品选择了高效、可靠与持久的动力核心。