STH10N80K5-2AG - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STH10N80K5-2AG技术参数详情：

当您的下一代电源设计面临效率与可靠性的双重挑战时，是否有一款功率器件能同时满足高性能与车规级严苛要求？答案是肯定的。今天，我们向您隆重介绍来自ST意法半导体的卓越解决方案STH10N80K5-2AG。这颗N沟道功率MOSFET不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统能效、确保长期稳定运行的强大引擎。它集800V高耐压、8A连续电流与极低的导通电阻于一身，专为应对高功率密度和恶劣环境而生，让您的产品从激烈的市场竞争中脱颖而出。

想象一下，在电动汽车的车载充电机(OBC)中，能量需要被高效、安全地转换与管理；在工业伺服驱动和通信电源中，系统必须7x24小时不间断可靠运行。这正是STH10N80K5-2AG大显身手的舞台。其高达800V的漏源电压(Vdss)为您提供了充足的电压裕度，轻松应对电网波动和感性负载关断时产生的电压尖峰。而680毫欧的超低导通电阻（在4A, 10V条件下），意味着在导通状态下的功率损耗被大幅削减，电能更多地被用于驱动负载而非转化为无谓的热量，直接提升了整机效率并简化了散热设计。其采用的H2PAK-2表面贴装封装，不仅优化了功率密度，更便于自动化生产，助力您快速实现产品量产。

选择STH10N80K5-2AG，就是选择了一份经得起考验的承诺。它隶属于ST的Automotive, AEC-Q101产品家族，这意味着它已经通过了汽车电子委员会制定的严苛可靠性标准测试，能够承受-55°C至150°C的极端结温变化，确保在振动、高温、高湿等恶劣环境下依然性能如初。无论是追求零缺陷的汽车应用，还是要求长寿命的工业设备，它都是您值得信赖的伙伴。其优化的栅极电荷(Qg)仅17.3nC，有助于降低开关损耗，实现更高频率的开关操作，为设计更小巧、更高效的电源拓扑铺平道路。当您需要可靠的技术支持和供应链保障时，我们的合作伙伴专业的ST中国代理将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STH10N80K5-2AG成为您下一个成功产品的核心动力，开启高效、可靠的电能转换新纪元。

型号:STH10N80K5-2AG
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:H2Pak-2
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 800V 8A H2PAK-2
系列:-
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:680 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:426 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:121W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:H2Pak-2
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在为寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的800V级功率开关而烦恼吗？STH10N80K5-2AG正是为您而来的解决方案。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有800V的坚固耐压和8A的强大电流处理能力，其核心魅力在于仅680毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源模块或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它采用先进的H2PAK-2封装，不仅功率密度出众，更便于您进行自动化贴装生产，提升制造效率。更重要的是，它符合汽车级AEC-Q101标准，历经严苛验证，确保从-55°C到150°C的极端温度范围内稳定工作。选择它，就是为您的产品注入了高效能与高可靠性的双重基因，轻松应对工业电源、汽车电气化等领域的严峻挑战。