STFU13N80K5

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为开关损耗和系统可靠性而妥协？今天，我们为您带来一个颠覆性的解决方案STFU13N80K5。这款基于意法半导体革命性MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，以其800V的卓越耐压和仅为450毫欧的超低导通电阻，正在重新定义中高功率应用的性能标杆。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升整机效率、缩小产品体积并增强市场竞争力的核心引擎。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或新能源充电桩中，STFU13N80K5能够轻松应对严苛的电压应力。其高达12A的连续漏极电流承载能力，配合优化的栅极电荷（Qg仅29nC）和输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗。这直接转化为更低的温升和更高的系统频率，让您的设计在效率曲线上遥遥领先。无论是面对频繁启停的工业环境，还是要求7x24小时不间断运行的通信基础设施，它都能提供坚如磐石的稳定性。

选择STFU13N80K5，就是选择了一份从容与自信。TO-220FP封装在保证出色散热性能的同时，也为您的PCB布局提供了灵活性。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保您的产品能够征服从寒带到热带的全球市场。我们深知，一颗优秀的芯片需要强大的供应链支持，因此我们推荐您通过官方授权的ST一级代理进行采购，以确保获得原装正品、充足库存和专业的技术支持，让您的项目从研发到量产一路畅通无阻。立即采用STFU13N80K5，释放您设计的全部潜能，打造出令客户惊叹的高效、紧凑且可靠的下一代电力电子产品。

• 型号:STFU13N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STFU13N80K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？STFU13N80K5正是为您而来的效率提升利器。这颗采用先进MDmesh K5技术的800V MOSFET，拥有超低的450毫欧导通电阻和仅29nC的栅极电荷，能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源、电机驱动或照明系统轻松实现更高的能效等级，直接帮助您节省运营成本并满足严苛的能效法规。

它不仅仅关注效率，更致力于让您的设计工作更高效。高达12A的电流处理能力和坚固的TO-220FP封装，确保了出色的功率处理能力和散热性能，大幅提升了系统可靠性。无论是应对工业环境的剧烈温度变化，还是追求消费电子产品的紧凑设计，STFU13N80K5都能游刃有余，让您以更少的器件、更简化的设计，构建出性能更强劲、运行更稳定的终端产品。