STD47N10F7AG

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为寻找一款能在严苛环境下稳定输出、同时兼顾高效与紧凑的功率开关而困扰？今天，我们为您带来的STD47N10F7AG，正是意法半导体基于其先进的STripFET F7技术，专为应对此类挑战而生的高性能N沟道MOSFET。它不仅是一颗元件，更是您提升系统整体竞争力的关键引擎。

想象一下，在新能源汽车的DC-DC转换器中，或在工业自动化设备的电机驱动单元里，系统需要处理高功率、应对频繁开关，并承受环境温度的剧烈变化。STD47N10F7AG凭借其100V的漏源电压和高达45A的连续漏极电流能力，为这些核心应用场景提供了坚实的功率处理基础。其低至18毫欧的导通电阻（Rds(on)），意味着在导通状态下能量损耗被大幅降低，直接转化为更低的发热和更高的系统效率，让您的终端产品在能效比拼中脱颖而出。其宽广的-55°C至175°C工作结温范围，更是为产品在极端气候或高负荷运行下的长期稳定性加上了双重保险。

选择STD47N10F7AG，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的质量承诺。它隶属于意法半导体的汽车级（Automotive, AEC-Q101）产品系列，这代表了它经历了远超工业级标准的严苛测试与认证，天生具备卓越的可靠性与耐久性。无论是面对汽车电子对零缺陷的极致追求，还是工业控制对不间断运行的硬性要求，它都能从容应对。其DPAK封装在确保出色散热能力的同时，也满足了现代电子设备对空间利用的苛刻需求。当您需要可靠的技术支持与稳定的供货保障时，我们的ST中国代理团队将随时待命，为您从选型到量产的全流程保驾护航。让这颗凝聚尖端技术的功率芯片，成为您下一代创新产品中高效、可靠的心脏。

• 型号:STD47N10F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 45A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 22.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1640 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD47N10F7AG，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在设计需要高效功率切换的电路吗？STD47N10F7AG正是您理想的解决方案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，能轻松驾驭高达100V的电压和45A的连续电流，其核心价值在于极低的导通电阻（仅18毫欧），这直接意味着更少的能量损耗和更低的发热，让您的电源转换、电机驱动或负载开关应用运行得更冷静、更高效。

它基于先进的STripFET F7技术打造，不仅开关性能出色，栅极电荷（Qg）低至25nC，有助于提升开关频率、减小驱动损耗，让您的系统设计更灵活。更值得一提的是，它符合严苛的汽车级AEC-Q101标准，具备从-55°C到175°C的宽广工作温度范围，确保在恶劣环境下依然稳定可靠。选择它，就是为您的产品注入了高效与耐用的双重基因。