STD4NK80Z-1

当您的电源设计需要在高压环境下保持稳定高效时，您是否曾为寻找一颗兼具性能与可靠性的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STD4NK80Z-1。这颗来自意法半导体SuperMESH家族的N沟道MOSFET，以其高达800V的漏源电压和3A的连续漏极电流，为您构筑起坚固的电力防线。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品能效、简化设计复杂度的得力助手，让您在激烈的市场竞争中，凭借更优的电源性能脱颖而出。

想象一下，在开关电源、功率因数校正、电机驱动乃至照明镇流器等关键应用中，STD4NK80Z-1如何大显身手。它出色的高压耐受能力，确保系统在电压波动时依然稳如磐石；而优化的导通电阻与栅极电荷特性，则直接转化为更低的导通损耗和更快的开关速度，这意味着更少的能量浪费和更高的整体效率。无论是面对工业环境的严苛挑战，还是满足消费电子对紧凑与节能的双重需求，它都能游刃有余，将高性能与高可靠性完美融合。

选择STD4NK80Z-1，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的保障。其通孔IPAK封装不仅坚固耐用，便于焊接和散热管理，宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）更是让它能适应从寒带到热带的各类应用环境。我们深知，优秀的元器件需要配以可靠的服务，这正是我们作为专业的ST代理所致力于提供的从精准的选型支持到稳定的供货渠道，我们全程护航，确保这颗芯片的价值能在您的产品中得到百分百的释放。让它成为您下一个成功设计的核心动力，开启能效新纪元。

• 型号:STD4NK80Z-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:575 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• 现在可以订购STD4NK80Z-1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高压应用的开关损耗和可靠性头疼吗？让STD4NK80Z-1来改变这一切！这颗基于先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，是您实现高效功率转换的秘诀。

它拥有800V的高压阻断能力和3A的电流承载能力，配合优化的3.5欧姆导通电阻，能显著降低导通损耗，提升系统整体效率。同时，其优异的开关特性（如低栅极电荷）让您能轻松设计出更快速、更高效的开关电路。无论是开关电源、电机驱动还是照明应用，它都能让您的设计更稳定、更节能，助您轻松应对各种功率挑战。