STD50NH02L-1 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD50NH02L-1技术参数详情：

在追求极致效率的电源管理与电机驱动设计中，您是否还在为寻找一款能在紧凑空间内承载大电流、同时保持超低损耗的开关器件而烦恼？今天，我们为您带来的STD50NH02L-1，正是意法半导体STripFET III系列中的一颗明星产品，它将用高达50A的连续漏极电流和仅10.5毫欧的超低导通电阻，彻底改写您对24V级别MOSFET性能的认知。这颗采用坚固I-PAK封装的N沟道功率MOSFET，不仅仅是一个组件，更是您提升系统整体能效、实现产品小型化与高可靠性的关键引擎。

想象一下，在您的同步整流电路、DC-DC转换器或是电机驱动模块中，STD50NH02L-1能够轻松应对高频开关的严苛挑战。其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统响应更加迅捷，热量产生显著减少。无论是工业自动化设备中驱动伺服电机，还是通信电源中进行高效的负载点转换，亦或是电动工具需要爆发强劲动力，它都能提供稳定、流畅的功率流，确保设备在-55°C至175°C的宽广结温范围内持续可靠运行。

选择STD50NH02L-1，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。它继承了意法半导体STripFET III技术的全部精华，专为降低导通和开关损耗而优化。尽管该型号已处于停产状态，但其卓越的性能指标使其在特定存量项目与高可靠性设计中依然极具价值。为了确保您能获得正品保障与稳定的供应支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST代理渠道进行咨询与采购。让这颗强大的“能量开关”融入您的设计，您将收获的不仅是更高的效率与功率密度，更是产品在市场竞争中脱颖而出的决定性优势。

型号:STD50NH02L-1
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-251（IPAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 24V 50A I-PAK
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:24 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:60W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-251（IPAK）
封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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您正在寻找一颗能“扛大梁”的功率开关吗？STD50NH02L-1正是为您而来！这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有24V耐压和高达50A的电流处理能力，其核心魅力在于惊人的低导通电阻最低仅10.5毫欧。这意味着在您的大电流通路中，它能将能量损耗降至极低，让电能几乎毫无阻碍地高效传输。

无论是构建高效的DC-DC转换器、执行精准的电机控制，还是用于需要快速响应的负载开关，STD50NH02L-1都能让您的设计事半功倍。它采用成熟的STripFET III技术，配合通孔I-PAK封装，确保了出色的散热性能和机械可靠性。选择它，就是为您的电源与驱动系统注入一颗强劲而高效的“心脏”，轻松应对高负荷挑战，全面提升终端产品的性能与竞争力。