STP36N60M6

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？是时候让性能与可靠性实现一次质的飞跃了。我们隆重向您推荐意法半导体MDmesh M6系列中的明星产品STP36N60M6。这款600V、30A的N沟道功率MOSFET，以其卓越的导通电阻和极低的栅极电荷，重新定义了中高功率应用的性能标杆。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统整体效率、降低运营成本、并赢得市场先机的关键钥匙。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或是不间断电源（UPS）系统中，每一次开关动作都伴随着能量的损耗与热量的产生。STP36N60M6凭借其先进的MDmesh M6技术，将导通电阻（RDS(on)）降至惊人的99毫欧，同时保持了极低的栅极电荷（Qg）。这意味着在相同的工况下，它能显著降低传导损耗和开关损耗，让更多的电能被有效利用，而非转化为无用的热量。其高达208W的功率耗散能力和宽达-55°C至150°C的工作结温范围，确保了即使在严苛环境下也能稳定运行，大幅提升了系统的可靠性和寿命。

选择STP36N60M6，就是选择了一份安心与高效。它通用的TO-220封装简化了您的PCB布局和散热设计，让升级换代变得轻松无缝。无论是用于提升现有产品的能效等级，还是作为新项目的核心功率开关，它都能以出色的性能回报您的信任。为了确保您能获得正品保障与及时的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST代理进行采购。立即行动，让STP36N60M6为您的产品注入强劲动力，在激烈的市场竞争中脱颖而出！

• 型号:STP36N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:99 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1960 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:208W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？STP36N60M6正是为您破解这一难题的利器。这颗来自意法半导体MDmesh M6家族的功率MOSFET，集600V耐压与30A大电流于一身，其核心价值在于让您的系统运行得更“冷”、更“静”、更高效。

它通过极低的导通电阻（仅99毫欧）和优化的栅极电荷，大幅削减了开关过程中的能量损耗。这意味着，在服务器电源、电机驱动或太阳能逆变器等应用中，它能帮助您轻松提升整体能效，减少散热需求，从而让您的设备设计更紧凑，运行更可靠，寿命更长久。