STFV4N150 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STFV4N150技术参数详情：

在追求极致能效与可靠性的高功率应用设计中，您是否曾为寻找一颗能在高压环境下稳定输出、同时兼顾出色热性能的功率开关而反复权衡？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STFV4N150。这颗源自意法半导体PowerMESH家族的N沟道MOSFET，以其高达1500V的漏源电压和4A的连续漏极电流，为您的工业电源、电机驱动和新能源系统构筑了坚如磐石的核心。它不仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、赢得市场竞争力的关键伙伴。

想象一下，在工业变频器、不间断电源(UPS)或太阳能逆变器的核心功率转换电路中，STFV4N150正以其卓越的高压耐受能力，从容应对电网波动和复杂的负载变化。其TO-220封装确保了出色的散热路径，结合高达40W的功率耗散能力和150°C的结温，让您的设备即使在严苛环境下也能持续稳定运行，大幅延长了系统寿命并减少了维护成本。选择它，意味着为您的关键应用选择了一份经久耐用的保障。

为何众多工程师在面临高压设计挑战时，会持续信赖并选择STFV4N150？答案在于其背后强大的技术基因与综合价值。它采用了先进的PowerMESH技术，在10V驱动电压下实现了优异的导通特性，有效降低了开关损耗和导通损耗，从而提升了整体系统效率。其极低的栅极电荷和输入电容，让驱动电路设计更为简洁高效，加快了开关速度。虽然该型号目前已处于停产状态，但其卓越的性能和可靠性在存量市场及特定延续性项目中依然备受推崇。如需获取可靠的货源与专业的技术支持，我们推荐您咨询官方授权的ST授权代理，他们能为您提供合规的渠道与深度的产品知识，确保您的设计之旅顺畅无忧。拥抱这颗经典功率器件，让它成为您打造高效、可靠电力电子系统的强大基石。

型号:STFV4N150
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 1500V 4A TO220
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:1500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 欧姆 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:40W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
封装/外壳:TO-220-3 全封装，隔离接片
现在可以订购STFV4N150，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在设计需要处理高压、追求高效转换的电源或驱动方案吗？STFV4N150正是为您而来的强大引擎。这颗N沟道MOSFET拥有高达1500V的击穿电压和4A的连续电流能力，能轻松胜任工业电源、电机控制等高压开关任务，让您的系统核心更加稳固可靠。

它采用意法半导体成熟的PowerMESH技术，在10V栅极电压下提供优异的导通电阻性能，这意味着更低的传导损耗和更高的整体能效。TO-220封装搭配40W的强大散热能力，让您无需为热管理过度担忧，设计更简洁。无论是提升现有方案的可靠性，还是为经典项目延续生命，STFV4N150都能以出色的性能，助您一臂之力。