STD50NH02LT4 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD50NH02LT4技术参数详情：

在追求极致效率的电源管理设计中，您是否曾为寻找一款能在有限空间内承载大电流、同时保持超低损耗的开关器件而困扰？想象一下，一个仅DPAK封装的器件，却能稳健处理高达50A的连续电流，将导通电阻压降至惊人的10.5毫欧以下这并非遥不可及的技术幻想，而是STD50NH02LT4为您带来的现实性能。这款来自ST意法半导体STripFET III家族的N沟道MOSFET，以其卓越的功率密度和能效表现，正在重新定义24V应用场景的性能边界。

无论是驱动高速运转的伺服电机，还是为紧凑型DC-DC转换器提供核心开关，STD50NH02LT4都能游刃有余。它的出现，让电动工具的动力输出更加澎湃而稳定，让无人机电调的反应更加敏捷精准，也让车载辅助电源系统的可靠性提升到一个新的层次。在工业自动化、消费电子及汽车电子领域，这颗芯片如同一位沉默而强大的能量指挥官，在方寸之间调度着庞大的电流，却将自身损耗降至最低，确保整个系统运行得更凉、更静、更持久。选择它，意味着您为产品注入了源自意法半导体先进工艺的强劲心脏。

为何众多工程师在面临关键设计时倾向于信赖STD50NH02LT4？答案在于其背后一整套经过市场验证的价值逻辑。极低的Rds(on)直接转化为更少的热量产生和更高的整体效率，这对于提升电池续航或降低散热成本至关重要。仅需5V的驱动电压即可实现优异导通特性，大大简化了驱动电路设计。宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）则提供了应对严苛环境的信心保障。虽然该型号已处于停产状态，但其成熟的设计和卓越的性能指标使其在特定应用和库存解决方案中依然极具吸引力。对于需要可靠供货与专业支持的客户，通过官方授权的ST代理商进行咨询与采购，是获取正品器件和完整技术服务的明智途径。选择STD50NH02LT4，不仅是选择一个元件，更是选择一种经过优化的高性能解决方案，它能让您的设计在效率、尺寸和可靠性上赢得关键优势。

型号:STD50NH02LT4
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:DPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 24V 50A DPAK
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:24 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:60W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DPAK
封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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您正在寻找一颗能“扛大任”且“省能量”的功率开关吗？STD50NH02LT4正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有24V的耐压和高达50A的连续电流处理能力，但其真正的魅力在于惊人的低导通电阻（最低仅10.5毫欧），这意味着在您的大电流应用中，它能大幅降低开关损耗，让电能转换更高效，系统发热更少。

它基于ST先进的STripFET III技术，采用紧凑的DPAK封装，却提供了卓越的功率密度。仅需5V-10V的驱动电压，它就能完全开启，让您的驱动电路设计变得简单而高效。无论是用于电机驱动、电源转换还是负载开关，它都能让您的产品性能更加稳定可靠，轻松应对高负荷挑战。