STD60NF55LT4 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD60NF55LT4技术参数详情：

在追求极致能效的电力电子世界里，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一个能同时驾驭60A大电流和55V高压，却将导通电阻牢牢控制在15毫欧以下的解决方案，它将如何彻底改变您的电源设计？答案就蕴藏在STD60NF55LT4这颗性能卓越的功率MOSFET之中。它不仅仅是参数的堆砌，更是意法半导体STripFET II技术的结晶，专为那些对效率、可靠性和功率密度有严苛要求的应用而生。

无论是服务器电源中需要高效进行DC-DC转换，还是电动工具电机驱动要求瞬间爆发大电流，亦或是不断电系统(UPS)和工业电源中需要稳定可靠的开关控制，STD60NF55LT4都能游刃有余。其高达100W的功率处理能力和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，意味着它能在各种恶劣环境下持续稳定运行，为您的产品保驾护航。选择它，就是为您的系统注入一颗强劲而高效的心脏。

为什么众多工程师在同类产品中独独青睐它？关键在于其卓越的综合性能。极低的Rds(on)直接转化为更低的导通损耗，意味着更少的发热和更高的系统效率。优化的栅极电荷(Qg)特性确保了快速开关能力，减少了开关损耗，这对于高频开关应用至关重要。DPAK封装不仅提供了优异的散热性能，其表面贴装形式也完美适配现代自动化生产线，助力您提升生产效率和产品一致性。当您需要可靠的原厂货源和技术支持时，我们的ST一级代理身份确保了您能获得正品保障和专业的服务，让您的创新之路再无后顾之忧。

型号:STD60NF55LT4
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:DPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 55V 60A DPAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 5 V
Vgs（最大值）:±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1950 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:100W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DPAK
封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在寻找一颗能扛起大电流、低损耗重任的功率开关吗？STD60NF55LT4正是为您而来的解决方案。这颗采用先进STripFET II技术的N沟道MOSFET，拥有55V的耐压和高达60A的连续电流承载能力，其核心魅力在于仅15毫欧的超低导通电阻。这意味着它能显著降低您在电源转换、电机驱动或负载开关应用中的导通损耗，直接提升系统整体效率，并有效缓解散热设计压力。

更令人心动的是，它具备优异的开关特性。优化的栅极电荷让驱动更轻松、开关更迅速，从而进一步降低开关损耗。无论是面对工业电源的严苛环境，还是消费电子对能效的极致追求，它宽广的工作温度范围和稳健的DPAK封装，都能让您的设计更可靠、性能更出众。选择它，就是选择了一份高效与安心。