STD60N3LH5 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD60N3LH5技术参数详情：

在追求极致效率的电源与电机控制领域，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？现在，让我们向您介绍一款能够显著提升系统性能的功率开关解决方案STD60N3LH5。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其卓越的电气特性和坚固的物理设计，正在重新定义30V电压等级下的功率密度与可靠性标准。

想象一下，在您的DC-DC转换器、电机驱动板或电池保护电路中，一颗芯片能够同时实现高达48A的连续电流承载与仅8毫欧的超低导通电阻。这意味着在相同的空间内，您能获得更低的传导损耗，更少的发热量，从而让整个系统运行得更凉爽、更持久。其宽广的-55°C至175°C结温工作范围，更是为严苛的工业环境或高负荷的汽车应用提供了坚实的保障。无论面对突然的负载冲击还是持续的高温考验，它都能稳定如山。

这种卓越的性能，使其成为众多应用的理想心脏。无论是需要快速响应和高效率的服务器电源、通信设备电源模块，还是对空间和散热极为敏感的电动工具、无人机电调，甚至是汽车内的辅助驱动系统，STD60N3LH5都能完美融入。其DPAK封装兼顾了功率处理能力与PCB布局的灵活性，让您的设计游刃有余。选择它，不仅仅是选择了一颗MOSFET，更是选择了一种以更高能效和更强鲁棒性为核心的设计哲学。

那么，为何在众多选项中锁定它？答案在于其背后STripFET V技术的深厚积淀。这项技术优化了单元结构，在降低Qg（栅极电荷）和Ciss（输入电容）方面表现出色，这意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的开关电源轻松跨越更高频率的门槛，实现体积的进一步缩小。虽然该型号已处于停产状态，但其成熟的设计、广泛的应用验证以及通过正规ST代理渠道可能获取的库存，使其对于许多成熟、稳定且对长期可靠性有极高要求的项目而言，依然是一个经过时间考验的珍贵选择。它为工程师提供的是一个性能与风险平衡的经典答案。

型号:STD60N3LH5
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:DPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 30V 48A DPAK
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):48A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 24A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 5 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1350 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:60W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DPAK
封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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您正在寻找一颗能扛起大电流、压降低、开关快的功率开关吗？STD60N3LH5正是为此而生！这颗30V/48A的N沟道MOSFET，拥有惊人的8毫欧超低导通电阻，能极大减少您在电源路径上的功率损耗，让电能更高效地传输，系统发热更少，效率自然显著提升。

它基于先进的STripFET V技术打造，不仅静态参数优秀，动态性能同样出色。极低的栅极电荷和输入电容，让您可以轻松实现高速开关，非常适合追求高频率、高功率密度的DC-DC转换和电机驱动应用。其坚固的DPAK封装和宽广的工作温度范围（-55°C至175°C），确保它在各种挑战性环境中都能稳定可靠地工作，为您的产品注入持久动力。