STD60N55F3 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD60N55F3技术参数详情：

当您的电源转换系统需要在高功率密度和卓越效率之间找到完美平衡点时，您是否曾为选择一颗既能承载大电流又具备超低损耗的MOSFET而反复权衡？答案或许就藏在STD60N55F3这颗性能强劲的功率器件之中。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力的关键引擎，专为那些对效率和可靠性有严苛要求的应用而生。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率DC-DC转换器中，电流如江河奔涌。STD60N55F3凭借其高达80A的连续漏极电流承载能力和仅为8.5毫欧的超低导通电阻，能够显著降低导通损耗，将更多电能高效转化为有用功，而非无谓的热量。这意味着您的系统可以在更小的体积内实现更大的功率输出，同时保持更低的温升，系统稳定性与寿命自然得到有力保障。其宽广的-55°C至175°C工作结温范围，更是让它无惧严苛环境挑战，从容应对各种极端工况。

选择STD60N55F3，就是选择了一套经过市场验证的高性能解决方案。它源自ST意法半导体广受赞誉的STripFET III技术平台，该技术以卓越的开关性能和优化的栅极电荷著称。仅45nC的栅极电荷（Qg@10V）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于提升高频开关电源的整体效率至关重要。其DPAK封装兼顾了功率处理能力与PCB空间利用率，是表面贴装设计的理想选择。尽管该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST代理渠道，您依然可以获得稳定库存和专业的技术支持，确保您的项目顺利进行与长期维护。这颗芯片所代表的，是ST在功率半导体领域深厚的技术积淀，它能帮助您简化设计、优化性能，最终打造出在市场上脱颖而出的终端产品。

型号:STD60N55F3
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:DPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 32A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:110W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DPAK
封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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您正在寻找一颗能扛起大电流重任，同时又能将能量损耗降到最低的功率开关吗？STD60N55F3正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有55V的耐压和高达80A的电流处理能力，其核心魅力在于惊人的8.5毫欧超低导通电阻，能大幅减少导通状态下的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉、更高效。

它基于STripFET III先进技术，不仅静态性能出色，动态表现同样卓越。优化的栅极电荷设计让开关过程更快、更干净，有效降低开关损耗，提升系统整体能效。无论是面对工业环境的温度波动，还是高频率的开关需求，STD60N55F3都能提供稳定可靠的性能，让您的设计轻松应对功率密度与效率的双重挑战。