STB21NM60ND - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB21NM60ND技术参数详情：

在追求极致能效与可靠性的电力转换领域，您是否还在为如何平衡性能与成本而困扰？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STB21NM60ND。这颗来自ST意法半导体的功率MOSFET，以其600V的耐压和17A的连续电流能力，早已成为众多工程师心中高效与稳定的代名词。虽然产品状态已标注为停产，但其卓越的性能和广泛的市场存量，使其依然是特定升级项目或延续性设计的绝佳选择，尤其适合通过可靠的ST代理渠道获取，确保您获得原装正品与供货保障。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器应用中，STB21NM60ND能够轻松应对高电压环境，其FDmesh II技术带来的超低导通电阻，意味着更少的能量以热量的形式被浪费，直接为您提升系统整体效率，降低运行成本。无论是工业变频器需要稳定驱动电机，还是UPS电源需要可靠保障电力，这颗芯片都能以其强大的功率处理能力和高达150°C的结温工作范围，确保您的设备在严苛环境下依然稳定运行。

选择STB21NM60ND，就是选择了一份经过时间考验的信任。其D2PAK封装不仅提供了优异的散热性能，便于您的PCB布局与热管理设计，更能满足表面贴装工艺的自动化生产需求，助力您提升制造效率。对于现有产品的维护升级或特定批次的延续生产而言，这颗芯片成熟的技术参数和明确的市场定位，能让您的设计风险降至最低。它不仅仅是一个电子元件，更是您构建高效、耐用电力系统的坚实基石，让您的产品在市场中持续保有竞争力。

型号:STB21NM60ND
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:D2PAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:140W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:D2PAK
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效冷静的功率开关吗？STB21NM60ND正是为此而生！它集成了ST先进的FDmesh II技术，在600V的高压下，能持续通过17A电流，而其导通电阻却低至惊人水平，这意味着它能显著减少开关损耗和导通损耗，直接让您的电源或电机驱动方案运行得更凉快、更省电。

这颗芯片的强大内核，让您轻松应对诸如开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)、电机控制及工业照明等应用挑战。高达140W的功率耗散能力和150°C的结温，赋予了它卓越的可靠性和耐久性。采用坚固的D2PAK封装，散热性能优异，安装稳固，能完美融入您的自动化生产线，是实现高效、紧凑型功率设计的得力助手。