STD6N80K5

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够同时驾驭800V高压和4.5A电流，却将导通电阻和栅极电荷双双压至新低的功率器件，将如何彻底改变您的设计格局。这正是意法半导体SuperMESH5系列中的明星STD6N80K5所带来的现实价值。

它不仅仅是一个参数表上的数字。当您将其应用于反激式开关电源、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动逆变器时，其卓越的性能便开始真正发光发热。高达800V的漏源电压为您提供了充裕的电压裕度，轻松应对电网波动和感性负载关断时产生的电压尖峰，让系统可靠性迈上坚实台阶。而1.6欧姆的低导通电阻（Rds(on)）与仅7.5nC的超低栅极电荷（Qg）的黄金组合，意味着更低的传导损耗和开关损耗。这直接转化为更低的温升和更高的整体效率，您会发现，散热设计可以变得更简单，或者在同等的散热条件下，能够追求更高的功率密度。

选择STD6N80K5，就是选择了一种经过市场验证的高性价比平衡之道。它继承了ST SuperMESH5技术的精髓，在击穿电压、动态性能和可靠性之间取得了完美平衡。其DPAK封装非常适合空间受限的现代电子设备，表面贴装工艺也便于自动化生产，提升制造效率。从工业电源、家用电器到LED照明驱动，这颗芯片都能成为您提升产品竞争力的秘密武器。若您正在寻找稳定可靠的供货渠道与技术支持，专业的ST代理商将是您值得信赖的合作伙伴，助您将这颗高性能MOSFET的价值快速转化为终端产品的优势。

• 型号:STD6N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 4.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:255 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为高压应用的效率瓶颈而烦恼吗？让STD6N80K5来为您破局！这颗基于先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的高耐压和4.5A的电流能力，专为要求苛刻的开关模式电源和功率转换电路而生。

它的核心价值在于极低的功率损耗。1.6欧姆的导通电阻大幅降低了传导过程中的热量产生，而仅7.5nC的栅极电荷则显著提升了开关速度，减少了开关损耗。这意味着您能轻松构建出更高效、更凉爽、更可靠的电源系统，直接提升终端产品的能效等级和市场吸引力。

无论是反激式转换器、PFC电路还是电机驱动，STD6N80K5都能凭借其优异的电气特性、坚固的DPAK封装和宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C），让您的设计游刃有余，高效达成性能目标。