STD6NM60N

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一颗能够将600V高压与低导通损耗完美结合的功率器件，能为您的产品带来怎样的性能飞跃？现在，答案就在STD6NM60N之中。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其MDmesh II技术的卓越基因，重新定义了中功率应用的性能标杆。它不仅是一颗晶体管，更是您提升系统可靠性、降低整体能耗的关键引擎。

无论是家用电器中的开关电源、LED照明驱动，还是工业领域的辅助电源和电机控制，STD6NM60N都能游刃有余。其600V的漏源电压和4.6A的连续漏极电流，为反激式、正激式等主流拓扑结构提供了坚实保障。面对复杂的电磁环境，其优异的动态特性确保了开关过程的干净利落，让您的产品轻松通过严苛的EMC测试。当您需要稳定可靠的货源与技术支持时，我们的ST一级代理身份确保了从芯片到服务的完整供应链支持，让您的研发与生产无后顾之忧。

选择STD6NM60N，就是选择了一份经过市场验证的成熟与可靠。尽管该型号已停产，但其卓越的性能和广泛的应用基础，使其在存量市场与特定升级项目中依然极具价值。它代表了MDmesh II技术在一个经典封装（DPAK）中的精华浓缩，920毫欧的低导通电阻直接转化为更少的热量产生和更高的能源利用效率。这意味着您的终端产品可以运行得更凉爽、更安静，寿命也更长久。在表面贴装工艺日益主流的今天，它的封装形式也便于自动化生产，提升您的制造效率。让这颗凝聚了ST尖端工艺的芯片，成为您打造下一代高竞争力产品的秘密武器。

• 型号:STD6NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:920 毫欧 @ 2.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:420 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD6NM60N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？STD6NM60N就是为您破解这一难题的利器。这颗采用ST先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和4.6A的电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（仅920毫欧）和优化的栅极电荷。这能让您的开关电源、电机驱动或照明系统在运行时损耗大幅降低，发热更少，从而轻松实现更高的整体能效和更紧凑的散热设计。

它就像一位高效的“电能守门员”，在10V的标准驱动电压下即可快速、稳定地动作，确保功率切换精准无误。其坚固的DPAK封装和宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C），赋予了它出色的环境适应性和可靠性。选择它，意味着您选择了一个久经考验的解决方案，让您的产品在性能与稳定性上赢得双重优势。