STP80NF70

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一个能同时承载98A电流、导通电阻低至9.8毫欧的功率开关，将如何彻底改变您的电源或电机驱动设计？答案就在STP80NF70这颗强大的N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个元件，更是您提升系统可靠性、缩小体积并降低整体成本的关键赋能者。

无论是服务器电源需要应对瞬间的高负载冲击，还是工业电机驱动要求平稳而强劲的扭矩输出，甚至是新能源车车载充电器对效率和功率密度的严苛追求，STP80NF70都能游刃有余。其68V的漏源电压和高达190W的功率处理能力，为各种中压应用场景提供了坚固的安全边际。当您的设计面临高温挑战时，它宽广的-55°C至175°C工作结温范围，确保了在恶劣环境下依然稳定运行，让产品的耐用性脱颖而出。

选择STP80NF70，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能。它源自ST意法半导体广受赞誉的STripFET II技术平台，这意味着更低的栅极电荷（仅75nC）和更优的开关特性，能显著降低驱动损耗，让您的系统整体效率轻松跃升。经典的TO-220AB封装不仅便于安装和散热，也意味着成熟的供应链和可靠的支持。虽然该型号已不适用于全新设计，但对于众多需要高性能、高可靠性替代方案或进行产品维护升级的工程师而言，它依然是经过时间淬炼的优选。如需获取正品货源与专业的技术支持，可以咨询专业的ST中国代理。让这颗久经沙场的“老兵”，以其强悍的载流能力与出色的导通性能，为您的现有项目注入新的活力与竞争力。

• 型号:STP80NF70
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 68V 98A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:68 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):98A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2550 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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您正在寻找一颗能扛起大电流、压降又极低的功率开关吗？STP80NF70正是为您而来的解决方案。它拥有98A的连续电流承载能力和低至9.8毫欧的导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉快、更高效。

这颗采用STripFET II技术的MOSFET，具备68V的耐压和快速的开关性能（栅极电荷仅75nC），让您能轻松优化开关频率与效率的平衡。其坚固的TO-220AB封装和190W的强大散热能力，确保了在高功率应用中的长期稳定可靠。选择它，就是为您的产品选择了强劲而可靠的心脏。