STD7N60M2 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD7N60M2技术参数详情：

当您的电源设计需要在600V高压下稳定运行，同时还要兼顾效率和空间时，您是否在寻找一个性能与可靠性兼备的解决方案？这正是STD7N60M2大显身手的舞台。作为ST意法半导体MDmesh II Plus家族的明星成员，这颗功率MOSFET以其卓越的能效表现，正在重新定义中功率应用的性能标准。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键伙伴。

想象一下，在您的开关电源、照明驱动或电机控制电路中，STD7N60M2正默默发挥着核心作用。其600V的漏源电压和5A的连续电流能力，为反激式、正激式等主流拓扑提供了坚实保障。更令人印象深刻的是，在10V驱动下，其导通电阻低至950毫欧，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生。搭配仅8.8nC的低栅极电荷，开关速度更快，开关损耗显著降低，让您的系统整体效率轻松跃升一个新台阶，无论是面对严苛的工业环境还是追求静音的消费类产品，都能游刃有余。

选择STD7N60M2，就是选择了一份来自技术前沿的安心。其采用的MDmesh II Plus技术，在导通电阻和栅极电荷之间取得了精妙的平衡，这正是高效开关电源所梦寐以求的特性。DPAK的表面贴装封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，提升您的制造效率。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在各种极端环境下依然稳定可靠。当您需要可靠的原厂货源和技术支持时，我们的ST一级代理身份能为您提供从选型到量产的全程护航。让STD7N60M2成为您下一个成功产品的强大心脏，开启高效、可靠的能量转换新篇章。

型号:STD7N60M2
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:DPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:271 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:60W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DPAK
封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？让STD7N60M2为您带来改变！这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，专为高效能量转换而生。它能在高达600V的电压和5A的电流下稳定工作，其核心价值在于极低的导通损耗和出色的开关性能，直接助力您的产品提升能效、减少发热，并缩小整体方案尺寸。

得益于先进的MDmesh II Plus技术，它让您在设计开关电源、LED驱动或电机控制电路时，能够轻松实现更快的开关频率和更高的功率密度。低至950毫欧的导通电阻和仅8.8nC的栅极电荷，意味着更少的能量浪费在器件本身，更多的能量高效地输送给负载。选择它，就是为您的产品选择了一颗强劲、可靠且高效的动力核心。