STD80N3LL - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD80N3LL技术参数详情：

在追求极致效率的电力转换世界中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一款能够在高达80A的电流下稳定运行，同时将导通电阻压至仅5.2毫欧的功率开关，将如何彻底改变您的电源设计格局。今天，我们向您隆重介绍意法半导体的力作STD80N3LL，这颗N沟道MOSFET正是为应对高电流、高效率挑战而生的卓越答案。

当您将它应用于同步整流、电机驱动或高密度DC-DC转换器时，其卓越的性能便开始熠熠生辉。极低的Rds(on)意味着在导通状态下，能量以热的形式浪费得更少，更多的电能被有效输送到负载端。这不仅直接提升了系统的整体效率，更能让您的终端产品在激烈的市场竞争中，凭借更长的续航或更小的散热器脱颖而出。其4.5V的低驱动电压特性，让它能轻松兼容多种主流控制器，简化您的驱动电路设计。

选择STD80N3LL，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺。意法半导体深厚的工艺积累，确保了这颗芯片在-55°C至175°C的严苛结温范围内都能保持稳定可靠的性能。其DPAK封装兼顾了功率处理能力与PCB空间利用率，是空间受限应用的理想选择。无论您是设计服务器电源、电动工具还是新能源车载设备，它都能成为您电路中坚实而高效的心脏。若您正在寻找可靠的原厂货源与技术支持，我们的合作伙伴ST一级代理，将为您提供从选型到量产的全方位服务。

归根结底，在功率电子领域，细节决定成败。STD80N3LL通过优化栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），显著降低了开关过程中的损耗，使得高频开关应用成为可能，同时减轻了驱动电路的负担。这意味着您的系统不仅能跑得更快，还能跑得更“凉爽”。让这颗集高性能、高可靠性于一身的MOSFET，成为您撬动更高能效比、打造下一代王牌产品的关键支点。立即体验，开启能效新纪元。

型号:STD80N3LL
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-252（DPAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
系列:-
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.2 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1640 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:75W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TO-252（DPAK）
封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在寻找那颗能扛起大电流、压住低损耗的“中流砥柱”吗？STD80N3LL N沟道MOSFET正是为您而来。它拥有30V的漏源电压和高达80A的连续漏极电流承载能力，核心优势在于其极低的导通电阻（仅5.2毫欧@10V），能显著减少导通损耗，让您的电源转换或电机驱动方案效率大幅提升，发热更低。

这颗芯片旨在让您的设计工作更轻松高效。其4.5V的低阈值驱动电压，让它可以被广泛的主流控制器轻松驱动，简化您的电路设计。同时，优化的动态参数（如低栅极电荷）确保了快速干净的开关性能，非常适合高频开关应用，帮助您实现更紧凑、更高效的电源系统。选择它，就是为您的产品注入了意法半导体领先的工艺技术与稳定品质。