STD80N6F6

在追求极致效率的电力电子世界，您是否还在为功率转换环节的损耗和发热问题而困扰？想象一下，一个关键的开关器件，能够在高达80A的电流下持续工作，同时将导通电阻压降至惊人的6.5毫欧，这不仅仅是参数的提升，更是系统整体能效和可靠性的飞跃。今天，我们向您隆重介绍意法半导体专为严苛应用打造的功率解决方案STD80N6F6。

这颗采用先进STripFET VI技术的N沟道MOSFET，生来就是为了征服挑战。其60V的漏源电压和80A的连续漏极电流能力，为它赋予了强大的动力心脏。更令人印象深刻的是，在10V驱动电压下，极低的Rds(on)意味着更少的导通损耗，直接将电能更高效地传递到负载，显著减少热量产生，让您的系统运行更凉爽、更稳定。无论是应对瞬间大电流冲击，还是在-55°C至175°C的广阔结温范围内稳定工作，它都展现出了卓越的鲁棒性。

将视野投向实际应用，STD80N6F6的身影活跃于多个高性能领域。在汽车电子中，符合AEC-Q101标准的它，是电机驱动、LED照明驱动、DC-DC转换器的可靠心脏，助力电动汽车和高级辅助驾驶系统释放潜能。在工业自动化领域，它能为伺服驱动器、电源和逆变器提供高效、紧凑的开关解决方案，提升设备功率密度。即便在要求严苛的通信电源和计算设备中，其快速的开关特性和低栅极电荷（Qg）也能有效降低开关损耗，提升整体频率响应。

选择STD80N6F6，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。它凝聚了意法半导体在DeepGATE和STripFET技术上的深厚积累，确保了器件在长期运行中的一致性。虽然该型号目前已停产，但其卓越的性能指标和设计理念，依然为后续选型和方案评估提供了极高的参考价值。对于希望获取库存或寻找替代方案的工程师，可以咨询专业的ST代理商，他们能提供全面的产品生命周期支持与技术建议。让这颗曾闪耀在众多成功设计中的芯片，继续为您的创新思路注入强大动能。

• 型号:STD80N6F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:122 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7480 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:120W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD80N6F6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

当您的设计需要一颗能够扛起大电流、低损耗重任的开关时，STD80N6F6就是您值得信赖的伙伴。这颗N沟道MOSFET拥有60V耐压和高达80A的电流处理能力，核心优势在于其极低的导通电阻，在10V驱动下仅6.5毫欧，能显著减少功率损耗和发热，让您的电源或电机驱动方案运行得更高效、更凉爽。

它采用先进的STripFET VI技术，开关性能优异，栅极电荷（Qg）低至122nC，有助于提升开关频率、降低驱动损耗。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）和符合汽车级AEC-Q101标准的设计，赋予了它应对严苛环境挑战的底气，无论是 automotive 还是工业应用，都能让您对系统的可靠性充满信心。