STD90NH02LT4 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD90NH02LT4技术参数详情：

在追求极致能效的今天，您的电源管理或电机驱动方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一个关键开关元件，能在瞬间处理高达60A的电流，同时将导通电阻压至惊人的6毫欧以下，这不仅仅是参数的提升，更是系统整体性能与可靠性的飞跃。这正是STD90NH02LT4为您带来的核心价值源自ST意法半导体先进的STripFET II技术，它重新定义了24V级别功率MOSFET的性能标杆。

这颗芯片的舞台无处不在。无论是需要快速响应和高频切换的DC-DC转换器、负载点（POL）电源，还是对扭矩和效率有严苛要求的电动工具、无人机电调，甚至是汽车辅助系统中的风扇与泵浦驱动，STD90NH02LT4都能游刃有余。其高达60A的连续电流承载能力和仅需5V即可实现低导通电阻的特性，让您的设计在紧凑的空间内也能释放澎湃动力，同时显著降低温升，提升系统长期运行的稳定性。面对复杂的电磁环境，其优异的栅极电荷与电容特性确保了干净利落的开关动作，有效减少噪声干扰。

选择STD90NH02LT4，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升产品竞争力、优化BOM成本的有力武器。其DPAK封装兼顾了功率处理能力与PCB占板面积，非常适合自动化表面贴装生产，助力您快速实现量产。尽管该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST一级代理渠道，您依然可以获得稳定优质的货源和全面的技术支持，确保项目顺利推进与后续维护无忧。立即将这颗高效能核心融入您的下一个设计，亲身体验它如何化繁为简，驱动创新。

型号:STD90NH02LT4
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:DPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 24V 60A DPAK
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:24 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:64 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2850 pF @ 15 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:95W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DPAK
封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在寻找一颗能同时兼顾大电流、低损耗与高可靠性的开关解决方案吗？STD90NH02LT4正是为您而生的答案。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，凭借其24V的耐压和高达60A的连续电流能力，让您轻松驾驭各类电源转换和电机驱动应用中的严苛挑战。

其核心魅力在于STripFET II技术带来的超低导通电阻在10V驱动下仅6毫欧，这意味着更低的传导损耗和发热量，显著提升系统整体效率。同时，优化的栅极电荷让开关速度更快、损耗更小，配合从-55°C到175°C的宽广工作结温范围，确保您的设备在各种环境下都能稳定高效运行。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而可靠的“心脏”。