STD96N3LLH6

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？当电流高达80A的应用场景需要一颗既强悍又敏捷的“心脏”时，STD96N3LLH6的出现，正是为了终结这种两难选择。这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其DeepGATE和STripFET VI技术的精妙融合，将导通电阻（Rds(on)）在10V驱动下压低至惊人的4.2毫欧，这意味着在40A的大电流通过时，其自身产生的热量损耗被大幅削减，让您的系统运行更凉爽，效率直接跃升新台阶。

无论是服务器电源中要求严苛的同步整流，还是电动工具、无人机电池管理系统（BMS）中需要快速响应的负载开关，甚至是高密度DC-DC转换器的核心开关位置，STD96N3LLH6都能游刃有余。其30V的漏源电压和高达175°C的结温，赋予了它在恶劣环境下稳定工作的强大底气。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着它开关速度极快，能显著降低开关损耗，让高频开关电源的设计不再是难题，轻松实现更高功率密度和更紧凑的布局。选择我们的ST中国代理，您将获得这颗性能猛兽的正品保障与全面的技术支持。

为什么在众多选项中，STD96N3LLH6是更明智的选择？答案在于它实现了性能与可靠性的完美平衡。它不仅仅是一组参数，更是一个经过优化的系统解决方案。DPAK封装兼顾了功率处理能力和空间效率，表面贴装设计适合现代化自动生产。从高达80A的连续电流承载能力到优异的散热表现，它都旨在降低您的系统总成本包括初始物料成本、散热成本以及因高效率而节省的长期运营成本。选择STD96N3LLH6，就是选择为您的产品注入一颗强劲、高效且值得信赖的动力核心，让您在市场竞争中凭借卓越的能效表现脱颖而出。

• 型号:STD96N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.2 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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想象一下，一颗芯片就能让您的大电流开关应用脱胎换骨。STD96N3LLH6正是这样一款利器，它专为高效功率转换而设计。凭借其极低的4.2毫欧导通电阻，它能大幅减少导通损耗，让您的电源模块或电机驱动系统运行得更凉爽、更节能，直接提升终端产品的续航和可靠性。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松驾驭高达80A的连续电流，其快速的开关特性（低栅极电荷）能显著优化高频电路的效率。无论是用于同步整流、负载开关还是DC-DC转换，STD96N3LLH6都能提供稳定强悍的性能，帮助您简化散热设计，实现更紧凑、更高功率密度的解决方案，助您高效攻克设计挑战。