STE88N65M5

当您的电源设计面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高功率与低损耗的“心脏”？现在，答案就在眼前。我们隆重推出STE88N65M5，这颗来自ST意法半导体MDmesh V家族的N沟道功率MOSFET，正是为突破性能瓶颈而生。它不仅仅是一个开关器件，更是您构建高效、紧凑、可靠电力系统的基石，让能量转换过程变得前所未有的顺畅与宁静。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或电动汽车充电桩的核心电路中，STE88N65M5正以其卓越的性能默默工作。它高达650V的漏源电压和88A的连续漏极电流，赋予了系统应对高压大电流工况的从容底气。而其核心魅力在于MDmesh V技术的加持，实现了极低的导通电阻（Rds(on)），这意味着在导通状态下，能量损耗被大幅削减，热量产生更少，系统整体效率显著提升。更低的损耗直接转化为更长的运行时间、更低的散热成本和更小的设备体积，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

选择STE88N65M5，就是选择了一份值得信赖的承诺。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速、干净的开关行为，这不仅减少了开关损耗，还简化了驱动电路设计，让系统运行更稳定、电磁干扰更低。ISOTOP封装提供了出色的散热性能和机械可靠性，确保芯片在高达150°C的结温下依然稳定工作，满足严苛的工业环境要求。当您需要专业的选型支持与可靠的供货保障时，遍布全球的ST代理商网络随时准备为您提供从技术咨询到供应链管理的全方位服务。立即将STE88N65M5纳入您的设计，亲身体验它如何将强大的功率处理能力与精妙的能效控制合二为一，为您的下一代高能效产品注入强劲动力。

• 型号:STE88N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ISOTOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 88A ISOTOP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):88A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:29 毫欧 @ 42A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:204 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8825 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:494W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 供应商器件封装:ISOTOP
• 封装/外壳:ISOTOP
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它拥有650V的高耐压和88A的强大电流处理能力，能轻松应对严苛的工业环境。其最引人注目的优势在于极低的导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比更高。同时，优化的开关特性让您能够设计出更简洁、响应更快的驱动电路，全面提升系统可靠性。选择STE88N65M5，就是选择让您的产品在性能与能效上赢得双重优势。