STL115N10F7AG

当您的下一代汽车电子或工业电源设计面临效率瓶颈时，是否曾想过，一颗小小的功率开关器件，竟能成为系统性能跃升的关键？答案就藏在STL115N10F7AG这颗性能卓越的N沟道功率MOSFET之中。它不仅仅是一个组件，更是您实现高效、可靠、紧凑设计的强大引擎。

想象一下，在电动汽车的电机驱动单元或车载DC-DC转换器中，每一次开关都伴随着能量的损耗。而STL115N10F7AG凭借其STripFET F7先进技术，将导通电阻（RDS(on)）降至惊人的6毫欧（典型值），这意味着在高达107A的连续电流下，由导通产生的热量被大幅削减，系统整体效率得到显著提升。更低的损耗直接转化为更长的续航、更小的散热器需求以及更稳定的运行，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

它的舞台远不止于汽车。在服务器电源、工业电机驱动、大功率LED照明以及任何需要高效功率切换的场合，STL115N10F7AG都能大放异彩。其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）和符合AEC-Q101标准的车规级品质，赋予了它无与伦比的坚固性与可靠性，能够从容应对极端环境与严苛工况的挑战。选择它，就是为您的核心应用上了一道坚实的保险。

那么，为何众多工程师将STL115N10F7AG作为首选？理由清晰而有力。首先，其PowerFlat（5x6）封装在提供强大功率处理能力的同时，实现了极小的占板面积，完美契合当今电子产品小型化、高功率密度的趋势。其次，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数，使得开关速度更快，驱动更轻松，有助于简化外围电路设计并进一步提升系统频率。最后，其背后是意法半导体强大的技术支撑与质量体系。如果您正在寻找可靠的ST芯片代理合作伙伴，以确保这颗高性能芯片的稳定供应与技术支持，那么选择一家资深的代理商将是您项目成功的重要一环。让STL115N10F7AG成为您下一个明星产品的“心脏”，驱动无限可能。

• 型号:STL115N10F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):107A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 53A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5600 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 现在可以订购STL115N10F7AG，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您是否正在为高电流、高频率的开关应用寻找一颗既能“扛得住”又能“省得了”的功率开关？STL115N10F7AG正是为您而来的解决方案。这颗采用先进STripFET F7技术的N沟道MOSFET，拥有100V的耐压和高达107A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的6毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、效率更高。

它不仅仅参数亮眼，更致力于让您的设计工作变得轻松高效。优化的栅极特性让驱动设计更为简单，而紧凑的PowerFlat封装则帮助您节省宝贵的电路板空间，轻松实现高功率密度布局。无论是提升电动汽车的驱动效率，还是强化工业电源的可靠性，它都能出色胜任，助您打造更具市场竞争力的产品。