STS25NH3LL - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STS25NH3LL技术参数详情：

想象一下，在您最新的电源管理或电机驱动方案中，如何将效率再提升一个台阶，同时将空间占用和热损耗降至更低？答案或许就藏在一颗看似微小却能量惊人的功率器件之中。今天，我们向您隆重介绍来自ST意法半导体的明星产品STS25NH3LL。它不仅仅是一个MOSFET，更是STripFET III技术家族的杰出代表，专为追求极致性能与可靠性的工程师而生。

这颗芯片的卓越之处，首先体现在其惊人的低导通电阻上。在10V驱动电压下，其Rds(On)低至3.5毫欧，这意味着在高达25A的连续电流下，它能将导通损耗降到极低水平，让宝贵的电能更多地转化为有效输出，而非无谓的热量。无论是用于服务器电源的同步整流、电动工具的高频开关，还是汽车辅助系统的负载控制，STS25NH3LL都能确保系统运行得更冷静、更持久。其高达175°C的结温工作能力，更是为严苛环境下的稳定运行提供了坚实保障。

当您的设计面临空间紧凑和散热挑战时，STS25NH3LL的8-SO封装便展现出巨大优势。小巧的体型让它能轻松嵌入高密度PCB布局，而其优异的电气性能则能有效减少对散热系统的依赖，从而简化整体设计，加速产品上市进程。选择它，就是选择了一种高效、可靠的解决方案。我们作为专业的ST一级代理，不仅能为您提供原装正品保障，更能提供深度的技术支持和灵活的供应链服务，确保您的创新之路畅通无阻。

尽管该型号已进入停产状态，但其成熟的设计、广泛的应用验证和出色的性能表现，使其在诸多存量项目或对长期稳定性有极高要求的领域，依然是值得信赖的经典之选。对于寻求高性能、高可靠性N沟道MOSFET的您来说，深入了解STS25NH3LL的特性，或许能为您的下一个成功设计找到关键拼图。

型号:STS25NH3LL
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:8-SOIC
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 30V 25A 8SO
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 12.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:±18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4450 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:3.2W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:8-SOIC
封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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还在为寻找一颗能在紧凑空间内高效处理大电流的开关器件而烦恼吗？让STS25NH3LL来为您排忧解难！这颗采用先进STripFET III技术的N沟道MOSFET，拥有30V的耐压和高达25A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅3.5毫欧@10V），能显著降低开关损耗，提升整体能效。

它让您轻松应对DC-DC转换器、电机驱动、电池保护等应用中的高频开关挑战。优异的栅极电荷特性确保了快速开关速度，而宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）则提供了卓越的环境适应性。选择它，就是为您的产品注入了高效、可靠与紧凑的基因。