STF100N10F7

在追求极致能效的电力电子设计中，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一款能够在100V电压下稳定承载45A电流，同时将导通电阻降至仅8毫欧的功率MOSFET，将如何彻底改变您的电源转换或电机驱动方案？今天，我们向您隆重介绍意法半导体的明星产品STF100N10F7，它正是为解决这些核心挑战而生。

得益于先进的STripFET VII技术和DeepGATE工艺，这颗芯片在性能与可靠性上树立了新的标杆。极低的Rds(on)意味着更少的导通损耗，直接转化为更高的系统效率和更低的温升。而高达175°C的结温工作能力，则赋予了它在恶劣环境下稳定运行的强大底气。无论是服务器电源中要求苛刻的同步整流，还是电动工具中需要瞬间爆发力的电机驱动，甚至是不断电系统（UPS）和太阳能逆变器中对效率与寿命的双重追求，STF100N10F7都能游刃有余，成为系统高效、可靠运行的坚实基石。

选择STF100N10F7，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一种面向未来的设计哲学。它让您的产品在能效竞赛中脱颖而出，同时其TO-220FP封装兼顾了优异的散热性能和成熟的工艺兼容性，大大简化了您的生产与组装流程。当您需要稳定可靠的货源与专业的技术支持时，我们的ST一级代理身份确保了正品供应与全程服务，让您从选型到量产都无后顾之忧。立即采用STF100N10F7，释放您设计的全部潜能，打造出更强劲、更凉爽、更耐用的新一代电力电子产品。

• 型号:STF100N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 100V 45A TO-220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 22.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:61 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4369 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STF100N10F7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找那颗能同时驾驭高功率与高效率的“心脏”吗？STF100N10F7 N沟道功率MOSFET就是您的理想答案。它拥有100V的耐压和高达45A的连续电流处理能力，核心优势在于其惊人的低导通电阻（仅8毫欧@10V），能显著降低开关和传导损耗，直接为您提升系统整体能效，让设备运行更凉爽、更持久。

这颗芯片采用意法半导体先进的STripFET VII技术，开关性能优异，栅极电荷（Qg）低，让您轻松实现高速开关，提升电源转换频率或电机响应速度。其宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）和稳健的TO-220FP封装，确保了它在工业电机驱动、DC-DC转换器、UPS等严苛应用中的卓越可靠性。选择STF100N10F7，就是为您的产品注入高效与可靠的双重基因。