STF12N120K5 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STF12N120K5技术参数详情：

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源系统是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够同时驾驭1200V高压与12A电流，却将导通电阻与栅极电荷双双优化的功率开关，将为您的设计带来怎样的变革？这正是STF12N120K5诞生的意义。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体MDmesh K5技术家族的杰出代表，专为那些对效率、可靠性和功率密度有极致要求的应用而打造。

当您在设计工业电机驱动、高性能开关电源（SMPS）、光伏逆变器或不间断电源（UPS）时，STF12N120K5的价值将得到淋漓尽致的展现。其690毫欧的超低导通电阻（Rds(on)）意味着更低的传导损耗，直接转化为更少的发热和更高的系统效率。而44.2nC的极低栅极电荷（Qg）则确保了超快的开关速度，显著降低了开关损耗，让您的系统即使在频繁开关的高频工况下也能保持冷静与高效。这种在导通与开关性能间的卓越平衡，正是MDmesh K5技术的核心优势，它让高压大电流应用不再是能效的“禁区”。

选择STF12N120K5，就是选择为您的产品注入强大的心脏。它高达40W的功率耗散能力与宽广的-55°C至150°C工作结温范围，赋予了产品无与伦比的鲁棒性，能够从容应对严苛的工业环境挑战。TO-220FP封装不仅提供了优异的散热性能，也兼顾了安装的便利性与空间利用率。更重要的是，通过与值得信赖的ST代理合作，您不仅能获得这颗性能卓越的芯片，更能得到从技术选型到供应链支持的全方位保障，确保您的项目从设计到量产一路畅通。立即采用STF12N120K5，让它成为您提升产品竞争力、赢得市场的关键引擎。

型号:STF12N120K5
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220FP
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 1200V 12A TO220FP
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:690 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:40W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220FP
封装/外壳:TO-220-3 整包
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您正在寻找一颗能同时征服高压与高效挑战的功率开关吗？STF12N120K5正是您的理想之选。这颗来自意法半导体MDmesh K5系列的N沟道MOSFET，拥有1200V的惊人耐压和12A的连续电流能力，专为要求严苛的功率转换场景而生。

它的核心价值在于让您的设计事半功倍。极低的690毫欧导通电阻大幅减少了导通损耗，而仅44.2nC的栅极电荷则确保了超快的开关速度，显著降低开关损耗。这意味着您能轻松构建出效率更高、发热更少、体积更紧凑的电源系统。无论是工业驱动、太阳能逆变器还是高端电源，它都能提供稳定可靠的性能，助您高效实现设计目标。