STN3N45K3

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源转换方案是否还在为开关损耗和空间占用而妥协？现在，答案来了。我们隆重推出意法半导体SuperMESH3家族的明星产品STN3N45K3，这颗450V耐压的N沟道MOSFET，正是为打破效率瓶颈、释放设计潜能而生。它不仅仅是一个开关，更是您提升产品竞争力的秘密武器，其卓越的性能参数直接转化为更低的运行温度、更高的可靠性和更长的使用寿命，让您的设计在起点就领先一步。

想象一下，在那些对空间和效率都极为苛刻的应用场景中，STN3N45K3正大显身手。无论是紧凑型开关电源（SMPS）的初级侧开关、LED驱动器的核心功率转换，还是家用电器中的辅助电源和电机控制，它都能游刃有余。其600mA的连续漏极电流和仅3.8欧姆的低导通电阻，意味着在频繁开关的过程中，能量损耗被降至极低，热量产生大幅减少。这直接让您的终端产品运行更凉爽、更安静，同时为满足日益严格的能效标准（如CoC V5, DoE Level VI）提供了坚实的硬件基础。选择它，就是为您的产品注入了高效与稳定的基因。

那么，在众多同类产品中，为何STN3N45K3能脱颖而出？其核心魅力在于SuperMESH3技术的深度赋能。这项技术显著优化了开关特性，极低的栅极电荷（Qg仅6nC）和输入电容（Ciss 150pF），使得开关速度更快，驱动电路的设计得以简化，系统整体效率进一步提升。SOT-223的封装形式，则在优异的散热性能与宝贵的PCB面积之间取得了完美平衡。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货保障时，我们的合作伙伴专业的ST中国代理将为您提供从选型到量产的全方位服务。从卓越的电气性能到便捷的采购体验，STN3N45K3为您提供的是一整套价值解决方案，助您轻松驾驭高效功率设计的新纪元。

• 型号:STN3N45K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 450V 600MA SOT223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:450 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):600mA（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 欧姆 @ 600mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:164 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• 现在可以订购STN3N45K3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找一颗能兼顾高性能与小体积的功率开关吗？STN3N45K3正是为您而来的答案。这颗采用先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有450V的高耐压和仅3.8欧姆的低导通电阻，能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源转换效率轻松跃升新台阶。

它能让您在设计紧凑型开关电源、LED驱动器或家电辅助电源时，从容应对空间限制。极低的栅极电荷和输入电容，简化了您的驱动电路设计，提升了开关速度。同时，SOT-223封装确保了良好的散热能力。选择STN3N45K3，就是选择了一种高效、可靠且易于实现的功率解决方案，助您快速将创意转化为具有市场竞争力的产品。