STL7N60M2

想象一下，当您的电源设计面临效率瓶颈和散热挑战时，是否有这样一款功率器件，既能提供坚固可靠的性能，又能帮助您缩小产品体积、降低系统成本？答案就在STL7N60M2。这款来自意法半导体MDmesh家族的600V N沟道MOSFET，正是为应对现代高效能电源转换的严苛要求而生。它不仅仅是一个开关，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键伙伴。

无论是紧凑型开关电源、LED照明驱动，还是工业电机控制、家用电器中的辅助电源，STL7N60M2都能游刃有余。其600V的漏源电压和5A的连续漏极电流，为反激式、正激式等主流拓扑结构提供了充足的电压余量和电流处理能力。在追求高功率密度的今天，它的价值尤为凸显。得益于先进的MDmesh技术，它在导通电阻和栅极电荷之间取得了卓越的平衡，这意味着更低的导通损耗和开关损耗，直接转化为更高的系统效率和更低的温升。当您的产品需要在狭小空间内稳定输出功率时，它的高效表现能让您彻底告别过热焦虑。

选择STL7N60M2，就是选择了一份可靠的设计保障。其1.05欧姆的低导通电阻（在10V驱动下），确保了在导通状态下最小的功率浪费。而极低的栅极电荷（仅8.8nC）则大大降低了驱动电路的负担，让开关动作更快、更干脆，进一步提升整体频率响应和效率。表面贴装的PowerFLAT 5x5封装不仅节省了宝贵的PCB空间，其优异的散热特性更能将芯片产生的热量迅速导出，确保器件在高达150°C的结温下依然稳定工作。这一切优势的结合，让您的电源系统在性能、尺寸和可靠性上全面领先。如果您正在寻找稳定可靠的供货渠道，我们的合作伙伴专业的ST芯片代理，将为您提供全方位的技术支持和供应链服务，确保您的项目从设计到量产一路畅通。

从提升能效到优化成本，从增强可靠性到加速上市时间，STL7N60M2所代表的，正是意法半导体对高品质功率解决方案的不懈追求。它已经准备好，为您的下一个创新产品注入强劲而高效的动力核心。

• 型号:STL7N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFLAT（5x5）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.05 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:271 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4W（Ta），67W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFLAT（5x5）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 现在可以订购STL7N60M2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为电源转换效率难以提升而烦恼吗？STL7N60M2 N沟道功率MOSFET就是您的高效解决方案。它基于意法半导体成熟的MDmesh技术，集600V高压耐受、5A电流处理能力与卓越的开关性能于一身。

这颗芯片能让您轻松构建更高效、更紧凑的电源系统。其低至1.05欧姆的导通电阻和仅8.8nC的栅极电荷，显著降低了导通与开关损耗，直接帮助您提升整机效率并减少散热设计压力。采用节省空间的PowerFLAT封装，它非常适合用于开关电源、LED驱动及电机控制等应用，让您的设计在性能和体积上都更具优势。