STF13NM50N - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STF13NM50N技术参数详情：

当您的电源设计面临效率瓶颈，或者开关损耗让系统温升难以控制时，您是否在寻找一个既能承载高功率又能保持冷静运行的解决方案？答案或许就藏在STF13NM50N这颗高性能功率MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现能效突破的关键引擎。凭借其卓越的电气特性和坚固的物理结构，它能将复杂的功率转换任务变得稳定而高效，让您的设计从众多产品中脱颖而出。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、高性能LED照明或是UPS不间断电源系统中，稳定可靠的功率开关是保障整个系统心脏持续跳动的基础。STF13NM50N正是为此类严苛应用而生。其500V的高耐压能力，让它在应对电网波动或感性负载反冲电压时游刃有余，为系统构筑起坚实的安全防线。而12A的连续电流承载能力，则确保了在高功率输出时依然保持强劲动力，无论是驱动大型设备还是处理瞬态峰值电流，都显得从容不迫。其采用的TO-220FP封装不仅提供了优异的散热路径，便于安装散热器，其通孔设计也带来了更强的机械可靠性，非常适合需要经受振动和长期运行的工业环境。

选择STF13NM50N，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能。其核心优势在于ST意法半导体独有的MDmesh II技术，这项技术显著优化了器件的动态特性。320毫欧的超低导通电阻（Rds(on)），意味着在导通状态下的功率损耗被降至极低，电能得以更高效地传输，直接转化为更低的运营成本和更凉爽的系统温度。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）使得开关速度更快，开关损耗更低，这对于追求高频高效工作的现代开关电源拓扑至关重要。它能在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作，确保了产品在极端环境下的出色可靠性。如果您正在为现有项目寻找可靠的备件或库存解决方案，专业的ST中国代理将是您获取这颗经典器件、获得技术支持的得力伙伴。让STF13NM50N成为您下一个成功设计的强大基石，开启高效、可靠的能量管理新篇章。

型号:STF13NM50N
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220FP
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:960 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:25W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220FP
封装/外壳:TO-220-3 整包
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您是否希望为您的电源或电机驱动项目找到一颗动力强劲且高效节能的“心脏”？STF13NM50N正是这样一款能担此重任的N沟道功率MOSFET。它基于ST先进的MDmesh II技术打造，拥有500V的高耐压和12A的强电流处理能力，让您轻松应对严苛的工业级应用环境，确保系统主功率通路的稳定与安全。

这颗芯片的核心价值在于为您大幅提升能效。其低至320毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让更多的电能转化为有效输出，而非无谓的热量。同时，优化的开关特性帮助您减少开关损耗，从而实现更高频率的设计，让您的电源产品更小巧、更高效。坚固的TO-220FP封装提供了出色的散热能力，结合宽广的工作温度范围，确保设备在长期运行中始终保持高性能与高可靠性。