STF16N90K5

在追求极致能效与可靠性的电力转换领域，您是否还在为高电压、大功率应用中的开关损耗和散热问题而困扰？现在，一个划时代的解决方案已经到来STF16N90K5，这颗来自ST意法半导体的高性能功率MOSFET，将彻底改变您对高压开关器件的认知。它不仅仅是900V耐压和15A电流能力的简单组合，更是MDmesh DK5系列尖端技术的结晶，旨在为您的系统注入前所未有的高效与稳定。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或新能源充电桩的核心电路中，STF16N90K5正以其卓越的性能默默工作。它高达900V的漏源电压，轻松应对电网波动和感性负载带来的高压冲击，为系统筑起坚固的安全防线。而仅330毫欧的超低导通电阻，意味着在传导过程中能量损耗被大幅削减，更多的电能被有效利用，直接转化为更低的运行温度和更高的整体效率。无论是面对严苛的工业环境还是7x24小时不间断运行的挑战，其宽广的-55°C至150°C工作结温范围和稳健的TO-220FP封装，都确保了持久的可靠性与卓越的散热表现。

选择STF16N90K5，就是选择为您的产品赋予强大的市场竞争力。它不仅仅降低了您的系统热设计难度和散热成本，更通过优异的开关特性（如较低的栅极电荷Qg），帮助您优化驱动电路，实现更高频率的开关操作，从而让电源设计更加紧凑、高效。这意味着您的终端产品将拥有更长的寿命、更低的能耗和更小的体积，在市场中脱颖而出。要获得这颗性能强劲的芯片以及专业的技术支持，联系值得信赖的ST代理商是您迈向成功的第一步。让STF16N90K5成为您下一代高性能电源和驱动设计的核心动力，开启能效新纪元。

• 型号:STF16N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 15A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1027 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STF16N90K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能同时驾驭高电压与高效率的功率开关吗？STF16N90K5正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有惊人的900V耐压和15A连续电流能力，核心采用ST先进的MDmesh DK5技术，将导通电阻降至仅330毫欧，能显著减少开关和传导损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉快、更高效。

它让您轻松应对严苛应用。极低的栅极电荷和优化的动态特性，确保了快速、干净的开关行为，简化您的驱动电路设计。结合坚固的TO-220FP封装和宽广的工作温度范围，STF16N90K5为您提供了一站式的高可靠性解决方案，是提升工业电源、UPS、充电设备等产品性能与竞争力的理想选择。