STL135N8F7AG

想象一下，当您的下一代汽车电子系统或工业电源设计面临效率瓶颈时，如何才能在紧凑的空间内实现高达130A的电流处理能力，同时将开关损耗降至最低？答案就藏在STL135N8F7AG这颗性能卓越的功率器件中。作为意法半导体STripFET F7汽车级家族的核心成员，它不仅仅是一个MOSFET，更是您实现高效能、高可靠性设计的秘密武器。

在电动汽车的OBC（车载充电器）、DC-DC转换器，或是服务器电源、电机驱动等严苛应用中，每一瓦的损耗都至关重要。STL135N8F7AG凭借其仅为3.6毫欧的超低导通电阻（Rds(on)），能显著减少传导损耗，让更多电能转化为有效输出，而非令人头疼的热量。其优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）组合，确保了极快的开关速度，进一步降低了开关损耗，让您的系统整体效率轻松跃升一个新台阶。选择它，意味着您选择了更低的温升、更小的散热器需求，以及最终更紧凑、更具成本优势的产品设计。

为何众多领先厂商在关键项目中都信赖这款芯片？因为它生而不凡。它严格遵循AEC-Q101汽车级标准，能在-55°C至175°C的极端结温下稳定工作，无惧环境挑战，为您的产品注入全天候的可靠性基因。独特的PowerFlat 5x6封装，在提供强大功率处理能力（135W @ Tc）的同时，实现了极佳的散热性能和占板面积优化，完美契合现代电子设备小型化、集成化的趋势。当您需要将如此卓越的芯片集成到您的蓝图中，一位可靠的ST芯片代理伙伴将是您供应链上的坚实后盾。从高效的能量转换到可靠的动力控制，STL135N8F7AG正静候您的调用，以巅峰性能，助力您的创意驶入快车道。

• 型号:STL135N8F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 130A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):130A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:103 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6800 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.8W（Ta），135W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 现在可以订购STL135N8F7AG，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起高电流、高效率重任的功率开关吗？STL135N8F7AG正是为您而来。这颗采用先进STripFET F7技术的N沟道MOSFET，拥有80V的耐压和高达130A的连续电流处理能力，其核心魅力在于仅3.6毫欧的超低导通电阻，能大幅降低您系统中的传导损耗，直接提升整体能效。

它让您轻松应对汽车电驱、电源转换等应用的严苛要求。优化的动态参数（如低栅极电荷）确保了快速、干净的开关性能，进一步减少开关损耗。结合其汽车级（AEC-Q101）认证、宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）以及高效的PowerFlat封装，STL135N8F7AG为您提供的不仅是一个元件，更是一个高效、可靠、节省空间的完整功率解决方案，助您的产品在性能竞赛中脱颖而出。