STI23NM60N

在追求更高能效和更可靠电源设计的道路上，您是否正在寻找一款能够平衡性能与成本，同时提供出色耐用性的功率开关解决方案？今天，我们为您带来意法半导体MDmesh II系列中的一颗经典之作STI23NM60N。它不仅仅是一个600V、19A的N沟道MOSFET，更是您构建高效、稳定电源系统的坚实基石。凭借其优化的导通电阻和栅极电荷，它能显著降低开关损耗和传导损耗，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借更低的能耗和更高的可靠性脱颖而出。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或是电机驱动控制板中，STI23NM60N正稳定地工作着。其600V的漏源电压和高达150°C的结温，赋予了它应对工业环境严苛挑战的强大能力。无论是服务器电源需要持续高负载运行，还是家用电器追求静音与高效，这颗芯片都能游刃有余。其I2PAK封装提供了优异的散热性能和通孔安装的可靠性，确保在长时间运行后，系统依然保持冷静与稳定，大大延长了终端产品的使用寿命。

选择STI23NM60N，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。它源自意法半导体备受赞誉的MDmesh II技术平台，该平台专为降低开关损耗而优化。180毫欧的低导通电阻（@9.5A,10V）意味着更少的能量以热量形式浪费，而60nC的栅极电荷则允许更快的开关速度，提升整体频率响应。这一切都让您的设计更高效，系统更紧凑。虽然该型号已处于停产状态，但其卓越的性能和广泛的应用基础使其在特定库存和替代方案中依然极具价值。为确保您获得正品保障与可靠供应，我们强烈建议您通过正规的ST授权代理进行咨询与采购，为您的项目成功加上一道双保险。

• 型号:STI23NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 19A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2050 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 现在可以订购STI23NM60N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在为电源设计寻找一颗动力强劲且高效节能的“心脏”吗？STI23NM60N正是您理想的答案。这颗来自ST意法半导体MDmesh II系列的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和19A的连续电流能力，能轻松担当起开关电源、电机驱动等应用中的核心开关角色。

它的核心价值在于让您的系统运行更高效、更凉爽。其180毫欧的低导通电阻大幅降低了导通损耗，而优化的栅极电荷（仅60nC）则确保了快速的开关切换，从而整体提升能效。采用坚固的I2PAK通孔封装，散热性能优异，结温高达150°C，让您即使在严苛环境下也能安心设计，构建出稳定可靠的功率转换方案。