STF16NF25

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否曾为开关损耗和散热问题而困扰？想象一下，一个关键功率开关器件，能在250V的高压下稳定承载14A电流，同时将导通电阻控制在惊人的235毫欧以下这不仅仅是参数，这是系统效率和稳定性的直接保障。今天，我们向您隆重介绍意法半导体STripFET II家族中的明星产品：STF16NF25，它正是为解决这些核心挑战而生。

将这颗N沟道MOSFET置于您的电路中，您立刻能感受到其带来的变革。其卓越的开关特性，得益于仅18nC的低栅极电荷和680pF的输入电容，意味着驱动它所需的能量更少，开关速度更快，从而显著降低开关损耗，让整个系统的运行更加“冷静”和高效。无论是面对频繁启停的电机驱动，还是需要精密控制的开关电源，STF16NF25都能游刃有余，确保能量以最小的损失进行转换和传递。其宽广的-55°C至150°C结温工作范围，更是赋予了产品应对严苛环境挑战的底气，从工业自动化设备到消费类电源适配器，其可靠性和耐久性都经得起考验。

选择STF16NF25，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺。STripFET II技术平台是其强大性能的基石，专为优化导通电阻和栅极电荷的平衡而设计。这意味着您无需在效率与速度之间艰难取舍，它能同时为您带来更低的传导损耗和更快的开关响应。采用经典的TO-220FP封装，它不仅提供了优异的散热性能，便于安装散热器，也兼容广泛的生产工艺。当您致力于提升产品竞争力时，这样一颗在性能、可靠性和成本间取得完美平衡的芯片，无疑是您设计中的“定海神针”。我们信赖的ST芯片代理伙伴，能确保您稳定、便捷地获得这一优质组件，为您的项目成功保驾护航。

归根结底，优秀的元器件是打造卓越产品的起点。STF16NF25不仅仅是一个MOSFET，它是一个高效、可靠的能量开关解决方案。它让您的设计远离过热风险，提升整体能效，并最终转化为您产品更长的使用寿命、更佳的用户体验和更强的市场竞争力。立即将STF16NF25纳入您的物料清单，开启高效节能的新篇章，让您的创意在稳定可靠的电力驱动下，尽情驰骋。

• 型号:STF16NF25
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 14A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:235 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:680 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STF16NF25，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起高压、大电流开关重任，同时保持极高效率和可靠性的“核心开关”吗？STF16NF25正是为此而生。这颗来自意法半导体STripFET II系列的N沟道MOSFET，拥有250V的漏源电压和14A的连续漏极电流能力，其关键优势在于极低的235毫欧导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更节能。

它凭借仅18nC的低栅极电荷，实现了快速、干净的开关动作，轻松应对高频开关需求，无论是电机驱动、电源转换还是照明控制，都能让您的设计性能脱颖而出。TO-220FP封装确保了出色的散热和便捷的安装，配合-55°C至150°C的宽广工作结温，保障了它在各种苛刻环境下的稳定运行。

选择STF16NF25，就是为您的产品选择了一个高效、可靠的能量管理核心，让您轻松构建更具市场竞争力的高性能解决方案。