STF16NM50N - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STF16NM50N技术参数详情：

当您的电源设计面临效率瓶颈与散热挑战时，是否曾渴望一颗兼具高耐压与低损耗的“心脏”？STF16NM50N正是为此而生。它不仅仅是一个500V/15A的N沟道MOSFET，更是意法半导体MDmesh II技术的杰出代表，旨在为您的系统注入澎湃而高效的能量。其核心优势在于，在严苛的高压环境下，依然能保持极低的导通电阻，这意味着更少的能量以热量的形式被浪费，更多的功率被有效输送到负载端，直接为您带来系统整体效率的显著提升和散热设计的简化。

这颗芯片的身影，活跃在各类对可靠性与效率有着严苛要求的场合。无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断电系统(UPS)和太阳能逆变器，STF16NM50N都能稳定担当功率开关的核心角色。它帮助工程师从容应对频繁的开关动作，确保能量转换过程平滑而迅速。在紧凑的TO-220FP封装内，它实现了高达150°C的结温工作能力，为您的产品在高温环境下长期稳定运行提供了坚实保障，让您的终端设备在激烈的市场竞争中，凭借出色的能效和可靠性脱颖而出。

选择STF16NM50N，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能与安心保障。其MDmesh II结构专为优化开关性能而设计，显著降低了栅极电荷和输出电容，这使得驱动更轻松，开关速度更快，整体系统在高频下的表现更为优异。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其成为特定升级或备货项目的经典之选。为确保您能获得原装正品与可靠供应，我们强烈建议您通过官方授权的ST一级代理进行咨询与采购，他们不仅能提供专业的技术支持，还能协助您规划最优的元器件生命周期管理方案，让您的产品创新之路无后顾之忧。

型号:STF16NM50N
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220FP
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 500V 15A TO220FP
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:260 毫欧 @ 7.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1200 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:30W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220FP
封装/外壳:TO-220-3 整包
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您正在寻找一颗能显著提升电源效率、让系统运行更凉爽的功率开关吗？STF16NM50N正是您的理想选择。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有500V的高耐压和15A的连续电流能力，其关键价值在于极低的导通电阻（仅260毫欧），能大幅减少导通损耗，让您的电源或电机驱动设计轻松实现更高的能效等级。

同时，它优化的动态参数（如低栅极电荷）让开关过程更加迅速高效，有助于降低开关损耗和电磁干扰。封装在坚固的TO-220FP中，并支持高达150°C的结温，STF16NM50N为您提供了在紧凑空间内处理高功率的可靠解决方案，是打造高效、稳健电力系统的得力助手。