STF17N80K5

当您的下一个电源设计项目面临效率与可靠性的双重挑战时，您是否在寻找一个能同时驾驭高电压与低损耗的解决方案？答案或许就藏在这颗性能卓越的功率器件之中。今天，我们向您隆重介绍意法半导体MDmesh K5系列中的明星产品STF17N80K5。它不仅仅是一个800V、14A的N沟道MOSFET，更是工程师应对严苛应用环境的信心之选，其卓越的性能参数背后，是意法半导体对能效与稳定性的不懈追求。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明系统中，能量转换的每一个环节都至关重要。STF17N80K5凭借其高达800V的漏源电压耐受能力，为您构筑起坚固的安全防线，轻松应对电网波动和感性负载带来的电压尖峰。而其核心优势MDmesh K5超结技术，实现了导通电阻与栅极电荷的完美平衡。仅340毫欧的最大导通电阻（@7A, 10V）意味着更低的传导损耗，而26nC的典型栅极电荷则确保了极快的开关速度和更低的驱动损耗。这种双管齐下的优化，直接转化为系统整体效率的显著提升和温升的有效控制，让您的产品在激烈的市场竞争中凭借优异的能效表现脱颖而出。

选择STF17N80K5，就是选择了一份经得起考验的可靠性。它采用坚固的TO-220FP封装，提供了优异的散热性能和通孔安装的便利性，确保在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作。无论是面对持续的高负荷运行，还是复杂环境下的温度循环，它都能保持一贯的出色表现。这份可靠性，源于意法半导体深厚的工艺积累和严格的质量管控。当您通过正规的ST授权代理渠道获取此产品时，您获得的不仅是一颗芯片，更是完整的技术支持、质量保证和供应链安全，让您的项目从设计到量产全程无忧。现在就为您的下一个高效、可靠、紧凑的电源或电机驱动方案，锁定这颗性能与价值兼备的功率核心吧！

• 型号:STF17N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 14A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:340 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:866 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STF17N80K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

在追求极致能效的今天，您是否希望找到一颗能大幅降低系统损耗、提升功率密度的“心脏”部件？STF17N80K5正是为此而生。这颗基于意法半导体先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的高压耐受能力和14A的连续电流能力，专为应对高效开关电源、电机控制和照明驱动等挑战而设计。

它的核心价值在于卓越的开关性能与低损耗特性。极低的导通电阻（Rds(on)）让您在传导过程中损失的能量更少，而优化的栅极电荷（Qg）则确保了快速、干净的开关动作，显著降低开关损耗。这两者的结合，让您的系统轻松实现更高的整体效率，同时有效控制温升。其坚固的TO-220FP封装和宽广的工作温度范围，更能让您在各种严苛的应用环境中信心十足，构建出更可靠、更紧凑、更具竞争力的终端产品。