STL60N3LLH5

想象一下，您的下一个电源管理或电机驱动项目，能否在更小的空间内实现更高的效率和更强的性能？这正是STL60N3LLH5这款功率MOSFET为您带来的核心价值。作为ST意法半导体STripFET V家族的明星成员，它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力的秘密武器。其卓越的7.1毫欧超低导通电阻，意味着在高达60A的连续电流下，它能将导通损耗降至极低，让宝贵的电能更多地转化为有效输出，而不是无谓的热量。这种效率的提升，直接转化为更长的电池续航、更低的系统温升和更可靠的运行表现。

无论是需要强劲动力的电动工具、讲究能效的服务器电源，还是追求快速响应的汽车辅助驱动系统，STL60N3LLH5都能游刃有余。其30V的漏源电压和高达150°C的结温工作范围，赋予了它应对严苛工业环境的坚韧体魄。PowerFlat（5x6）的超紧凑封装，更是为您的PCB布局设计解除了空间束缚，让您在寸土寸金的现代电子产品内部，也能轻松实现高功率密度的布设。当您面对复杂的散热挑战和紧凑的机械结构时，这颗芯片就是您最可靠的伙伴。

选择STL60N3LLH5，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺与性能保障。它代表了ST在功率半导体领域深厚的技术积淀。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST一级代理渠道，您依然可以获得稳定可靠的货源和专业的技术支持，确保您的生产计划顺利进行，并为现有产品提供长期的维护保障。这不仅仅是一次元器件采购，更是一次为您的产品注入高效、稳定基因的战略决策。让它成为您下一个成功设计的强大心脏，驱动创新，赢在未来。

• 型号:STL60N3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 60A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.1 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1290 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 现在可以订购STL60N3LLH5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为功率转换电路的效率和发热问题烦恼吗？让STL60N3LLH5来为您分忧！这颗采用先进STripFET V技术的N沟道MOSFET，拥有惊人的7.1毫欧超低导通电阻，能轻松驾驭高达60A的连续电流，显著降低开关和导通损耗，直接提升您的系统整体能效。

它采用节省空间的PowerFlat封装，让您在高功率密度设计中游刃有余。其4.5V的低栅极驱动电压和极低的栅极电荷，让驱动电路设计更简单，开关速度更快，助您实现高效、紧凑且可靠的电源管理、电机驱动或负载开关解决方案。