STY145N65M5

当您的下一代电源设计面临效率与功率密度的双重挑战时，您是否在寻找一个能同时兼顾高性能与可靠性的解决方案？答案或许就藏在STY145N65M5这颗卓越的功率MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您突破设计瓶颈、打造市场领先产品的关键引擎。凭借其MDmesh V系列的核心技术，这颗芯片将卓越的开关性能与超低的导通损耗融为一体，为您带来前所未有的效率提升和系统简化。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或新能源车充电模块这些严苛的应用场景中，系统需要稳定处理高电压大电流，同时还要应对频繁的开关动作和散热挑战。STY145N65M5正是为此而生。它高达650V的漏源电压和138A的连续漏极电流能力，为您的系统构筑了坚实的安全边际。而其低至15毫欧的导通电阻，意味着在电流通过时产生的热量损耗被大幅削减，这不仅直接提升了整机效率，也让您的散热设计变得更加从容，系统可以运行得更凉爽、更安静、寿命更长。

选择STY145N65M5，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺和性能保障。其优化的栅极电荷特性确保了快速、干净的开关动作，有效降低了开关损耗和电磁干扰，让您的电源设计更容易通过严格的能效与EMC标准。MAX247封装提供了出色的功率耗散能力，结合高达150°C的结温，赋予了产品无与伦比的鲁棒性和环境适应性。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，专业的ST芯片代理将是您值得信赖的合作伙伴，助您将这颗芯片的潜力转化为产品的市场竞争力。现在就采用STY145N65M5，让它成为您高性能电源系统的核心动力，开启高效、可靠的新篇章。

• 型号:STY145N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:MAX247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 138A MAX247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):138A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 69A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:414 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:18500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:MAX247
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STY145N65M5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高功率应用的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？STY145N65M5功率MOSFET正是您期待的解决方案。它基于先进的MDmesh V技术，为您带来高达650V的耐压和138A的强大电流处理能力，同时将导通电阻降至惊人的15毫欧，这意味着它能显著降低导通损耗，让您的系统运行更高效、发热更少。

这颗芯片能轻松胜任服务器电源、工业驱动及新能源充电桩等严苛场景。其优化的开关特性帮助您减少开关损耗和电磁干扰，而坚固的MAX247封装和高达625W的功率耗散能力，则确保了系统在高温环境下的长期稳定运行。选择STY145N65M5，就是选择让您的设计在性能与可靠性上双双脱颖而出。