STW36NM60ND - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STW36NM60ND技术参数详情：

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为功率转换系统的效率瓶颈而困扰？当开关损耗成为系统性能提升的绊脚石，选择一颗真正高效的功率MOSFET至关重要。今天，我们为您带来一个能够彻底改变游戏规则的解决方案STW36NM60ND。这款来自ST意法半导体的高性能N沟道MOSFET，以其卓越的FDmesh II技术和汽车级AEC-Q101认证，正在重新定义600V功率器件的性能标准。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或新能源车载充电器中，STW36NM60ND正以其高达29A的连续漏极电流和仅110毫欧的超低导通电阻，悄无声息地工作着。它不仅仅是一个开关，更是系统高效、稳定运行的心脏。其600V的漏源电压额定值，为应对复杂的电网波动和感性负载提供了充足的安全余量，让您的设计在面对严苛工况时依然从容不迫。无论是需要高功率密度的光伏逆变器，还是对可靠性要求极高的汽车应用，这颗芯片都能轻松胜任，将电能以最小的损耗进行精准控制。

为什么越来越多的工程师在关键项目中转向选择STW36NM60ND？答案在于它带来的综合价值远超一个简单的元件。极低的栅极电荷（仅80.4nC）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于提升系统频率、减小无源器件体积具有决定性意义。高达190W的功率耗散能力，配合TO-247封装优秀的散热特性，确保了在高温高负载下的长期可靠性。当您通过专业的ST代理商获取这颗芯片时，您获得的不仅是一个高品质的硬件，更是ST意法半导体深厚的技术积淀和全球化的支持网络。它让您的产品在能效、功率密度和长期可靠性上脱颖而出，在激烈的市场竞争中赢得先机。选择STW36NM60ND，就是选择为您的下一个成功项目注入一颗强大而可靠的心脏。

型号:STW36NM60ND
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-247-3
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 29A TO247
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2785 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:190W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247-3
封装/外壳:TO-247-3
现在可以订购STW36NM60ND，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为功率开关的效率与温升烦恼吗？STW36NM60ND正是为您的高要求应用而生。这颗N沟道MOSFET集成了ST先进的FDmesh II技术，为您带来110毫欧的超低导通电阻和高达29A的电流处理能力，让您的电源或电机驱动系统实现更低的传导损耗和更高的功率输出。

它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统整体表现的得力助手。高达600V的耐压和优化的动态参数（如仅80.4nC的栅极电荷），让您轻松实现高效、快速的功率切换，显著降低开关损耗。其符合汽车级AEC-Q101标准，并采用坚固的TO-247封装，确保即使在150°C结温的严苛环境下也能稳定工作，为您产品的长期可靠运行保驾护航。