STF18N65M5

在追求更高能效与可靠性的电源设计领域，您是否仍在为功率器件的开关损耗和散热问题而困扰？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STF18N65M5。这款来自ST意法半导体的高性能N沟道功率MOSFET，以其650V的耐压能力和15A的连续漏极电流，为您的设计注入强劲动力。它不仅仅是一个开关，更是提升系统整体效率、确保长期稳定运行的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或是不间断电源（UPS）系统中，每一次开关动作都伴随着能量的转换与损耗。STF18N65M5凭借其先进的MDmesh V技术，将导通电阻（RdsOn）在10V驱动下控制在极低的220毫欧，这意味着更小的导通损耗和更低的发热量。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）则确保了快速的开关速度，显著降低了开关损耗，让您的系统在高效与节能之间找到完美平衡，轻松应对150°C结温的严苛工作环境。

选择STF18N65M5，就是选择了一份经得起考验的卓越性能与安心保障。其TO-220FP封装提供了优异的散热能力和通孔安装的便利性，最大25W的功率耗散能力让散热设计更加游刃有余。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能在存量市场及特定延续性项目中依然具有极高的应用价值。为确保您获得正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过正规的ST授权代理进行采购。让这颗凝聚了尖端技术的功率芯片，成为您打造下一代高效、紧凑、可靠电力电子产品的坚实基石，助您在激烈的市场竞争中脱颖而出。

• 型号:STF18N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 15A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1240 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STF18N65M5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能同时兼顾高耐压、低损耗与出色可靠性的功率开关吗？STF18N65M5正是为此而生。这颗采用ST先进MDmesh V技术的650V/15A N沟道MOSFET，旨在让您的电源转换和电机驱动应用效率飞升。

它拥有低至220毫欧的导通电阻和优化的栅极电荷，能显著降低导通与开关损耗，从而减少发热，提升系统整体能效。其坚固的TO-220FP封装和高达150°C的结温工作能力，确保它在严苛环境下也能稳定运行，让您的设计更紧凑、更可靠。