STD40NF10 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD40NF10技术参数详情：

在追求极致效率的电力转换世界中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一款能够同时驾驭100V高压和50A大电流的功率开关，以其卓越的导通性能和快速的开关响应，正在重新定义电源设计的可能性。这就是我们今天要为您隆重介绍的STD40NF10，来自ST意法半导体的高性能N沟道MOSFET。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统能效、实现紧凑设计的得力引擎。

当我们将目光投向实际应用，STD40NF10的身影无处不在。在服务器电源和工业电源中，它凭借高达125W的功率处理能力和低至28毫欧的导通电阻，显著降低了能量在传输过程中的损耗，让系统运行更凉爽、更持久。在电机驱动和DC-DC转换器领域，其快速的开关特性和高达175°C的结温工作能力，确保了即使在严苛的工况下也能稳定可靠地输出强大动力。无论是新能源车的车载充电器，还是高密度布局的通信设备电源模块，它都能轻松胜任，为终端产品注入强劲而高效的心脏。

那么，在众多功率器件中，为何独独青睐STD40NF10？答案在于它背后STripFET II技术的深厚积淀。这项技术赋予了它极低的栅极电荷和输入电容，这意味着驱动它所需的能量更少，开关速度更快，从而直接提升了系统的整体频率和响应速度。其坚固的DPAK封装不仅提供了优异的散热路径，也适应了现代电子设备对小型化、表面贴装的普遍需求。选择它，就是选择了一份由全球半导体巨头ST意法半导体带来的品质保证与性能信心。如果您正在寻找稳定可靠的供货渠道，专业的ST代理商将是您获取正品芯片、获得技术支持的理想伙伴。让STD40NF10成为您下一个成功项目的基石，共同开启高效、可靠的电力新时代。

型号:STD40NF10
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:DPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 100V 50A DPAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2180 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:125W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DPAK
封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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您是否渴望为您的电源或电机驱动项目找到一颗既能承受高压大电流，又能保持极低损耗的“心脏”？STD40NF10正是为此而生！这颗采用先进STripFET II技术的N沟道MOSFET，拥有100V的耐压和高达50A的连续电流承载能力，让您在设计大功率应用时底气十足。

它的核心魅力在于其卓越的导通性能，导通电阻低至28毫欧，能显著减少导通状态下的功率损耗，直接提升系统整体能效。同时，优化的栅极电荷和开关特性，让您能够轻松实现更高频率的开关操作，从而缩小磁性元件的体积，助力打造更紧凑、更高效的电源解决方案。无论是应对工业环境的严酷考验，还是追求消费电子产品的轻薄高效，STD40NF10都能以稳定的表现，助您一臂之力。