STF18NM60ND

在追求更高能效和可靠性的电源设计中，您是否曾为功率器件的开关损耗和热管理问题而困扰？今天，我们为您带来一个经过市场验证的高性能解决方案STF18NM60ND。这颗源自意法半导体FDmesh II家族的N沟道MOSFET，以其600V的耐压能力和13A的连续漏极电流，为您的设计注入强劲而稳定的动力。它不仅仅是一个开关，更是提升系统整体效率、降低运行成本的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或是不间断电源（UPS）系统中，STF18NM60ND正以其卓越的性能默默工作。其低至290毫欧的导通电阻（Rds(on)），意味着在导通状态下更小的能量损耗，直接将电能更高效地传递给负载，而不是转化为令人头疼的热量。配合其优化的栅极电荷（Qg）特性，它能实现更快的开关速度，减少开关过程中的能量损失，这对于高频开关电源而言至关重要，能让您的产品在能效竞赛中脱颖而出，轻松满足日益严苛的能效标准。

选择STF18NM60ND，就是选择了一份经过时间考验的可靠性与卓越性能的平衡。FDmesh II技术确保了器件在高压下依然保持优异的动态特性，而TO-220FP封装则提供了出色的散热能力，结合高达150°C的结温，让您的设计在面对恶劣环境或突发过载时也能从容不迫。虽然它已不适用于全新设计，但这恰恰证明了其在众多成熟、高要求的应用场景中不可替代的价值和稳定性。如果您正在为现有产品线寻找可靠、高效的功率器件升级或维护方案，通过值得信赖的ST中国代理获取这款经典器件，无疑是明智而稳妥的决策。让它成为您提升产品竞争力、赢得客户信赖的坚实后盾。

• 型号:STF18NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1030 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STF18NM60ND，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您是否在寻找一颗能显著提升电源转换效率、同时保持系统稳定可靠的“心脏”级功率开关？STF18NM60ND正是为此而生。这颗600V/13A的N沟道MOSFET，采用先进的FDmesh II技术，为您带来低至290毫欧的导通电阻和优化的开关特性，能有效降低导通与开关损耗，让您的电源设计更高效、更凉爽。

它能让您轻松应对工业电源、电机驱动、UPS等应用中的高压开关挑战。优异的散热性能和高达150°C的结温，确保了其在严苛环境下的长期稳定运行。选择它，就是为您的产品选择了经市场验证的高性能与高可靠性，助您打造出更具竞争力的电源解决方案。