STF23NM50N - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STF23NM50N技术参数详情：

当您的电源设计面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高电压与低损耗的功率开关？答案就在STF23NM50N。作为意法半导体MDmesh II家族的杰出代表，这颗N沟道MOSFET不仅仅是一个组件，更是您提升系统能效、简化散热设计的强大引擎。它凭借500V的高耐压和仅190毫欧的超低导通电阻，在严苛的开关环境中游刃有余，将能量损耗降至新低，让您的产品在性能和稳定性上脱颖而出。

无论是工业电机驱动、高功率开关电源，还是不断电系统(UPS)和电焊机，STF23NM50N都能完美融入。想象一下，在伺服驱动器中，它精准控制电流，实现平稳高效的扭矩输出；在服务器电源里，它助力实现高功率密度，确保数据中心稳定运行。其TO-220FP封装提供了优异的散热能力，结合高达150°C的结温，即使在高温高负载的恶劣工况下，也能保持长久稳定的工作，大幅延长设备的使用寿命。

选择STF23NM50N，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。它继承了ST意法半导体在功率半导体领域数十年的技术积淀，MDmesh II技术确保了更快的开关速度和更优的雪崩耐量。这意味着您的设计不仅效率更高，抗干扰和可靠性也更强。从原型验证到批量生产，这颗芯片都能提供一致的卓越性能。如果您正在寻找可靠的供应伙伴，专业的ST芯片代理将为您提供从选型支持到稳定供货的全流程服务，让您的创新之路畅通无阻。现在就为您的下一个项目注入这份强劲而可靠的动力吧！

型号:STF23NM50N
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220FP
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 500V 17A TO220FP
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1330 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:30W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220FP
封装/外壳:TO-220-3 整包
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还在为功率转换系统的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？STF23NM50N正是为您而来的解决方案。这颗基于先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有500V高压阻断能力和17A的连续电流承载能力，其核心魅力在于低至190毫欧的导通电阻。这意味着它能显著降低开关过程中的导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效，直接帮助您提升整机能效，减少散热成本。

更令人惊喜的是，它优化后的栅极电荷(Qg)和输入电容，让开关动作干净利落，有效减少开关损耗，提升系统响应速度。无论是用于PFC电路、DC-DC转换还是电机控制，它都能让您的设计轻松应对高频率开关挑战。其坚固的TO-220FP封装和宽广的工作温度范围，确保了在严苛环境下的长期稳定运行，为您产品的耐用性提供了坚实保障。