STF20N90K5

在追求更高能效与可靠性的电力转换设计中，工程师们是否常常面临高压、高功率密度与系统稳定性的多重挑战？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STF20N90K5。这颗源自意法半导体MDmesh K5系列的高压MOSFET，以其900V的卓越耐压能力和20A的连续电流承载，正重新定义着高效与坚固的边界。它不仅仅是一个开关器件，更是您构建下一代高性能电源系统的信心基石。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或高功率LED照明这些严苛的应用场景中，系统需要稳定应对电网波动、感性负载冲击以及长时间满负荷运行。STF20N90K5正是为此而生。其超低的250毫欧导通电阻（Rds(on)）意味着更少的导通损耗，直接转化为更低的温升和更高的整体效率，让您的产品在激烈的市场竞争中凭借出色的能效表现脱颖而出。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了快速、干净的开关特性，这不仅简化了驱动电路设计，更能有效降低开关噪声和EMI，让系统运行更安静、更可靠。

选择STF20N90K5，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的承诺。MDmesh K5技术平台在导通电阻与开关性能之间取得了精妙的平衡，使其在同类900V MOSFET中表现尤为亮眼。TO-220FP封装提供了优异的散热能力和通孔安装的便利性，配合-55°C至150°C的宽广工作结温范围，足以应对从寒带到热带的任何环境挑战。当您需要可靠的原厂货源与专业的技术支持时，我们的ST授权代理团队随时待命，为您提供从选型到量产的全方位服务。让STF20N90K5成为您下一个成功项目的强大心脏，驱动创新，赢取未来。

• 型号:STF20N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 20A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STF20N90K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能轻松驾驭高压、高功率应用，同时保持极高效率和可靠性的核心开关器件吗？STF20N90K5正是您的理想之选。这颗N沟道高压MOSFET拥有900V的漏源击穿电压和20A的连续电流能力，基于意法半导体先进的MDmesh K5技术，它能显著降低导通损耗和开关损耗，让您的电源、电机驱动或逆变器设计运行得更凉爽、更高效。

它凭借仅250毫欧的低导通电阻和优化的动态参数，让您轻松实现更快的开关速度、更简化的驱动设计以及更优异的电磁兼容性。无论是应对严苛的工业环境还是追求极致的能源效率，STF20N90K5都能提供坚固耐用的高性能表现，是提升产品竞争力的关键组件。