STF20NF20

当您的下一个电源转换或电机驱动项目需要兼顾性能与成本时，您是否曾为寻找一颗可靠的功率开关而烦恼？想象一下，一颗能在高达200V电压下稳定工作，承载18A持续电流的N沟道MOSFET，同时还能将导通损耗降至极低这正是STF20NF20为您带来的核心价值。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统效率、确保长期稳定运行的得力伙伴。

这颗来自意法半导体STripFET家族的明星产品，专为应对严苛的工业与消费类应用而生。无论是开关电源中高效的能量转换，还是电机驱动里精准的PWM控制，它都能游刃有余。其卓越的125毫欧超低导通电阻，意味着在相同电流下，它能显著减少热量产生，让您的设备运行更凉爽，寿命更长久。而高达175°C的结温工作范围，则赋予了它无与伦比的环境适应能力，从容应对各种挑战。

选择STF20NF20，就是选择了一份由顶尖半导体技术背书的安全感。其TO-220FP封装不仅提供了优异的散热性能，也便于安装和焊接。极低的栅极电荷和输入电容特性，让驱动电路设计变得异常简单，有效降低了开关损耗，提升了整体系统的响应速度与能效。当您需要可靠的原厂正品和技术支持时，可以随时联系我们的ST代理商，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STF20NF20成为您设计中不可或缺的功率基石，共同开启高效、可靠的新篇章。

• 型号:STF20NF20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:940 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STF20NF20，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为功率器件的效率瓶颈而困扰吗？STF20NF20正是您期待的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有200V的耐压和18A的持续电流能力，其核心魅力在于STripFET技术带来的仅125毫欧的超低导通电阻。这意味着它能大幅降低导通状态下的功率损耗，直接为您提升系统效率，减少散热负担。

更令人心动的是，它具备极低的栅极电荷（仅39nC）和输入电容，让您的驱动电路设计变得异常轻松，实现更快、更干净的开关动作，从而优化整体性能。无论是用于开关电源、电机控制还是照明镇流器，STF20NF20都能让您的产品在能效和可靠性上脱颖而出，助您轻松打造更具市场竞争力的设计。