STF21N90K5

当您的电源设计面临效率瓶颈与散热挑战时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高电压与低损耗的“心脏”？STF21N90K5的到来，正是为了回应这份期待。它不仅仅是一个900V的N沟道MOSFET，更是意法半导体SuperMESH5技术家族的杰出代表，专为那些对性能与可靠性有着严苛要求的应用而生。想象一下，在开关电源、电机驱动或工业照明系统中，它能以高达18.5A的连续电流承载能力，配合极低的导通电阻，将能量损耗大幅降低，让整个系统的运行更加冷静、高效。

这颗芯片的价值，在复杂的应用场景中体现得淋漓尽致。无论是服务器电源需要应对的严酷电压波动，还是电动汽车充电桩对功率密度和长期稳定性的极致追求，甚至是工业变频器中频繁的开关动作，STF21N90K5都能凭借其卓越的电气特性从容应对。其高达900V的漏源击穿电压提供了宽裕的安全裕度，有效抵御电压尖峰的冲击；而优化的栅极电荷和电容特性，则确保了快速、干净的开关行为，这对于提升系统整体效率、减少电磁干扰至关重要。这意味着，您的产品不仅能通过更严格的能效标准，还能在激烈的市场竞争中，凭借更稳定的表现赢得用户信赖。

选择STF21N90K5，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺。它采用坚固的TO-220FP封装，散热性能优异，能在-55°C至150°C的广阔结温范围内稳定工作，适应从寒带到热带的各类环境。对于研发工程师而言，这意味着更简化的热设计、更小的散热器体积，从而节省宝贵的空间与物料成本。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，可以随时联系我们的ST芯片代理团队。我们提供的不仅是这颗性能强大的芯片，更是一整套助力您产品成功的解决方案。让STF21N90K5成为您下一代高性能设计的动力核心，共同开启高效、可靠的能量管理新篇章。

• 型号:STF21N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 18.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1645 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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还在为高压应用中的开关损耗和热管理头疼吗？让STF21N90K5来为您分忧！这颗基于先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有高达900V的耐压和18.5A的电流处理能力，能轻松应对严苛的功率开关任务。

它的核心价值在于极致的效率提升。其导通电阻低至299毫欧，配合优化的栅极电荷，能显著降低导通和开关损耗。这意味着您的电源或电机驱动系统能运行得更凉爽、更高效，直接帮助您提升产品能效等级，并简化散热设计。无论是工业电源、照明驱动还是新能源设备，它都能让您的设计更稳健、更具竞争力。