STF25N60M2-EP - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STF25N60M2-EP技术参数详情：

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否仍在为功率器件的开关损耗和热管理问题而困扰？今天，我们为您带来一个突破性的解决方案STF25N60M2-EP。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其卓越的MDmesh M2-EP技术，将600V的耐压能力与仅为188毫欧的超低导通电阻完美结合，在25°C下可承载高达18A的连续电流。这意味着，在相同的功率等级下，它能显著降低传导损耗，让您的系统运行更凉爽、效率更高，直接将性能提升到一个全新维度。

想象一下，在工业电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器或高效开关电源等严苛的应用场景中，系统需要应对频繁的开关动作和高功率密度带来的热挑战。STF25N60M2-EP正是为此而生。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速、干净的开关行为，不仅能减少开关损耗，还能简化驱动电路设计，让您的产品在激烈的市场竞争中凭借卓越的效率和稳定性脱颖而出。无论是面对-55°C的严寒还是150°C结温的考验，它都能稳定工作，为您的关键应用保驾护航。

选择STF25N60M2-EP，就是选择了一份经得起验证的卓越与安心。它不仅仅是一个参数出色的功率开关，更是ST意法半导体深厚技术底蕴的结晶。其TO-220FP封装兼顾了优异的散热性能和通孔安装的便利性，最大30W的功率耗散能力为您的散热设计提供了充裕空间。更重要的是，当您通过值得信赖的ST授权代理进行采购时，您获得的不仅是正品保障和可靠供货，更有专业的技术支持与服务，确保这颗强大的“心脏”能在您的系统中发挥出百分之百的潜力。立即行动，让STF25N60M2-EP成为您下一代高能效设计的核心动力，开启高效、可靠的电能转换新篇章！

型号:STF25N60M2-EP
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220FP
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:188 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1090 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:30W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220FP
封装/外壳:TO-220-3 整包
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您正在寻找一颗能同时驾驭高电压、大电流，又能保持冷静高效的功率开关吗？STF25N60M2-EP正是您的理想之选。这颗采用先进MDmesh M2-EP技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和18A的强大电流处理能力，而其核心魅力在于低至188毫欧的导通电阻，能显著降低功率损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、能效比更高。

它不仅仅参数亮眼，更致力于让您的设计工作变得轻松。优化的开关特性（如仅29nC的栅极电荷）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，帮助您简化电路设计，提升系统响应。其宽广的-55°C至150°C工作结温范围和稳健的TO-220FP封装，确保它在各种严苛环境下都能稳定可靠地工作，是您打造高效、耐用电力电子产品的得力伙伴。