STF28NM50N

在追求更高能效与可靠性的电力转换设计中，您是否曾为功率器件的开关损耗和热管理问题而困扰？现在，让我们向您介绍一款能够彻底改变游戏规则的解决方案STF28NM50N。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其卓越的MDmesh II技术，将500V的高压耐受能力与仅158毫欧的超低导通电阻完美结合，为您带来前所未有的效率提升和系统简化。它不仅是一个元器件，更是您释放产品潜能、赢得市场竞争力的关键钥匙。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动应用中，STF28NM50N正以其高达21A的连续漏极电流和优化的动态特性稳定运行。其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让系统频率可以更高，磁性元件体积得以缩小，整机设计更加紧凑。无论是工业变频器、不间断电源（UPS），还是高效照明和适配器，它都能轻松应对严苛的工况，在高达150°C的结温下依然保持稳定输出，大幅提升了系统的长期可靠性，减少了维护成本。

选择STF28NM50N，就是选择了一份经得起验证的品质与性能保障。其TO-220FP封装提供了优异的散热能力和通孔安装的便利性，35W的功率耗散能力让热设计游刃有余。更重要的是，它源自ST意法半导体的创新基因，确保了每一颗芯片都具备卓越的一致性和耐久性。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，可以随时联系我们的ST芯片代理，我们将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STF28NM50N成为您下一个成功产品的强大心脏，共同开启高效、可靠的电能转换新纪元。

• 型号:STF28NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 21A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:158 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1735 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STF28NM50N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能同时驾驭高效率与高可靠性的功率开关吗？STF28NM50N正是为您而来！这颗基于先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有500V的坚固耐压和21A的强大电流处理能力，其核心魅力在于仅158毫欧的超低导通电阻。这意味着在您的电源或电机驱动电路中，它能显著降低传导损耗，让更多的电能高效转化为输出，直接提升整机效率并减少发热。

它不仅仅参数亮眼，更懂您的设计挑战。极低的栅极电荷和输入电容让开关动作干净利落，大幅减轻了驱动电路的负担，让您轻松实现更高频率的开关操作，从而可以使用更小、更经济的被动元件。无论是面对工业环境的严酷考验，还是追求消费电子的紧凑设计，STF28NM50N都能以稳定的性能和TO-220FP封装带来的优秀散热表现，助您构建出更可靠、更具竞争力的产品。